Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
14.05.12
Зависимость деформационного состояния пленок GaAs на вицинальных подложках Si(001) от способа формирования первых монослоев

Обнаружен эффект зависимости деформационного состояния пленок GaAs толщиной 1 мкм, выращенных МЛЭ на вицинальных подложках Si(001)-6° от способа зарождения первых монослоев.

Различие способов зарождения заключается в том, что послойная эпитаксия начиналась в одном случае с осаждения As на поверхность Si, а в другом с замещения атомами As верхнего монослоя кремния.

Самое яркое различие между образцами с разным способом зарождения заключается в том, что направление преимущественного поворота решетки пленки меняет знак. При мышьяковом зарождении без замещения отклонение от сингулярной ориентации в GaAs уменьшается, а при замещении кремния мышьяком - увеличивается. Величина поворота кристалла пленки относительно подложки составляет от 700 до 1700 угл. сек. И.Д.Лошкарев