Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
01.11.12
Ударный транспорт экситонов в продольном электрическом поле поверхностной акустической волны

Изучено влияние продольного электрического поля поверхностной акустической волны (ПАВ) на кинетику экситонной фотолюминесценции (ФЛ) в GaAs/AlAs сверхрешетках 2-го рода с XZ и XXY нижним электронным состоянием. Обнаружено, что применение электрического поля ПАВ приводит сначала к увеличению интенсивности ФЛ свободных экситонов, а затем к ускорению всех типов экситонных переходов. Показано, что оба эффекта являются результатом взаимодействия носителей заряда, выброшенных электрическим полем ПАВ с мелких уровней, образованных флуктуациями толщины слоев СР 1) друг с другом и 2) с экситонами. В первом случае, носители заряда формируют добавочные экситоны, что приводит к увеличению их интенсивности ФЛ. Во втором случае, соударение этих носителей заряда с экситонами, описываемое законом Таунсенда-Шокли (W=W0*exp(-EA/e×F×leff)), приводит к делокализации экситонов с их последующим захватом на центры безызлучательной рекомбинации, что и вызывает ускорение кинетики экситонной ФЛ. Д.В.Гуляев