Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
10.11.14
Расписание выступлений на конкурсе стипендий 2014

 

Время Конкурсант Виза Название работы
9:00 Аксенов Максим Сергеевич О.Е.Терещенко Физико-химические принципы создания МДП-структур на основе InAs(111)A с низкой плотностью интерфейсных состояний.
 
9:15 Бацанов Степан Анатольевич А.К.Гутаковский Исследование атомной структуры и механизмов формирования нанокристаллов сульфидов металлов в плёнках Ленгмюра-Блоджетт
 
9:30 Боев Максим Вадимович В.М.Ковалев Взаимодействие упругих поверхностных волн с газом двумерных дипольных экситонов
 
9:45 Гайдук Алексей Евгеньевич В.Я.Принц Плазмонные структуры на основе субволновых дифракционных решеток: дизайн, моделирование, свойства
 
10:00 Голицын Александр Андреевич Ю.Л.Кравченко Разработка активно-импульсных приборов наблюдения видимого диапазона
 
10:15 Горшков Дмитрий Витальевич  А.С.Терехов Изучение энергетических распределений и направле-ний движения электронов, эмитированных с поверх-ностных состояний p-GaN(Cs,O)-фотокатода
       
 10:30-10:50  Перерыв (Кофе)    
       
10:50 Есин Михаил Юрьевич А.И.Никифоров Исследование морфологии и реконструкции поверхности структур Ge/Si(100) и Ge/GexSi1-x/Si(100) полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
       
11:05 Закиров Евгений Рашитович В.Г.Кеслер Стабилизация поверхности КРТ сверхтонким собственным оксидом
       
11:20 Ищенко Денис Вячеславович В.Н.Шумский Исследование твердых растворов  PbTe-SnTe в области составов, близких к инверсии зон
       
11:35 Казанцев Дмитрий Михайлович  В.Л.Альперович Моделирование процессов выглаживания
поверхности полупроводников
       
11:50 Кожухов Антон Сергеевич  Д.В.Щеглов Формирование индиевых нанопроволок на поверхности кремния методом атомно-силовой микроскопии
       
12:05 Осинных Игорь Васильевич  К.С.Журавлев Исследование AlGaN/GaN гетероструктур методом фотолюминесцентной спектроскопии при высоком уровне возбуждения
 
 12:20-14:00  Перерыв на обед    
       
14:00 Свит Кирилл Аркадьевич. А.И.Торопов Исследование массивов нанокристаллов CdS, полученных с помощью технологии Ленгмюра-Блоджетт, методом сканирующей туннельной спектроскопии
 
14:15 Султанов Денис Борисович А.Б.Воробьев Магнетотранспорт двумерного электронного газа в полупроводниковых оболочках под действием микроволнового излучения
       
14:30 Туктамышев Артур Раисович А.И.Никифоров Синтез гетероструктур на базе материалов Si-Ge-Sn, выращенных на Si(100) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
 
14:45 Шевырин Андрей Анатольевич А.Г.Погосов Электронные транспорт в подвешенном квантовом точечном контакте
       
15:00 Якшина Елена Алексеевна И.И.Бетеров Радиочастотные резонансы Фёрстера в холодных ридберговских атомах рубидия
 
       
15:15-15:30 Перерыв (Кофе)    
       
       
15:30 Александров Иван Анатольевич К.С.Журавлев Исследование процессов рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AlN
       
15:45 Емельянов Евгений Александрович В.В.Преображенский Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов InSbAs с использованием различных молекулярных форм As
 
       
16:00 Журавлев Андрей Григорьевич  В.Л.Альперович Фотоэмиссионные свойства поверхности GaAs
с неравновесными слоями цезия 
 
16:15 Ледовских Дмитрий Владимирович Н.Н.Рубцова Оптическая диагностика полупроводниковых гетероструктур A3B5, включающих квантовые ямы
 
 16:30-16:45  Перерыв (Кофе)    
       
16:45 Малин Тимур Валерьевич К.С.Журавлев Исследование начальных этапов роста А3-нитридных структур на подложках Si(111) с помощью метода ДБЭО.
       
17:00 Перевалов Тимофей Викторович В.А.Гриценко Электронная структура кислородных вакансий в Al2O3 HfO2, TiO2 и Ta2O5: ab initio моделирование и фотоэлектронная спектроскопия 
 
17:15 Родякина Екатерина Евгеньевна А.В.Латышев Морфология поверхности Si(001) в условиях эпитаксиального роста и сублимации
       
17:30 Эпов Владимир Станиславович А.Э.Климов Исследование фотоэлектрических явлений в PbSnTe:In, обусловленных уровнями захвата