Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
29.10.15
Конкурс на замещение вакантных научных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных научных должностей на условиях срочного трудового договора по соглашению сторон:

  • ведущего научного сотрудника, требования к кандидатам: высшее образование, ученая степень доктора физико-математических наук, специальность 01.04.10 «физика полупроводников», знание физики полупроводников, физических основ микроэлектроники, оптоэлектроники, включая фотоприемники и фотоприёмные устройства в ИК области спектра, опыт работы в области проектирования кремниевых микросхем;
  • старшего научного сотрудника, требования к кандидатам: высшее образование, ученая степень кандидата физико-математических наук, специальность 01.04.10 «физика полупроводников», владение методами квантово-химического моделирования в физике конденсированного состояния, опыт изучения транспортных свойств диэлектриков и диэлектрических пленок;
  • старшего научного сотрудника, требования к кандидатам: высшее образование, ученая степень кандидата физико-математических наук, специальность 01.04.10 «физика полупроводников», опыт проведения научных исследований в областях диагностики структуры и морфологии кристаллов методом сканирующей зондовой микроскопии и технологий создания рельефных мер нанометрового и субнанометрового диапазона со ступенчатым профилем элементов на основе монокристаллического кремния;
  • старшего научного сотрудника, требования к кандидатам: высшее образование, ученая степень кандидата физико-математических наук, специальность 01.04.10 «физика полупроводников», опыт проведения научных исследований в областях диагностики атомных процессов на поверхности кристаллов при сублимации, гомо- и гетероэпитаксии, осаждении металлов и взаимодействии с газами методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии.

Квалификационные характеристики в соответствии с постановлением Президиума РАН №196 от 25.03.2008 г. Заявления и необходимые документы для участия в конкурсе принимаются в течение двух месяцев со дня выхода объявления. Точная дата, время и место проведения конкурса будут заблаговременно сообщены всем претендентам. Документы подавать по адресу: г. Новосибирск, проспект ак. Лаврентьева, д. 13.

Перечень необходимых документов.

Справки по тел.: 333-24-88 (ученый секретарь).