Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
16.05.17
Прошел первый день Конкурса научных работ Института

15 мая прошёл первый день конкурса научных работ Института физики полупроводников.

На открытии конкурса с приветственным словом выступил директор ИФП академик А.В. Латышев.

Конкурсная комиссия

Первым был заслушан доклад победителей конкурса 2016 года О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, О.П. Сушков, И.С. Терехов «Затворно-индуцированные графеноподобные решетки: экранировка и критический беспорядок».

Доклады конкурсантов 2017 года:

  • С.А. Рожков, В.В. Бакин, Д.В. Горшков, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов «Испускание фотоэлектронами каскада оптических фононов на интерфейсе p-GaN (Cs,O)-вакуум» (рецензенты Л.С. Брагинский, К.С. Журавлев)
  • Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, В.Л. Альперович, А.С. Кожухов, А.Н. Карпов, Н.Л. Шварц, А.С. Терехов, А.В. Латышев «Выглаживание и разупорядочение поверхности полупроводников: эксперимент на GaAs и Монте-Карло моделирование» (рецензенты А.И. Торопов, А.А. Шкляев)
  • С.А. Тийс «Различные СТМ-изображения сверхструктуры чистой грани Si(133)-6 × 2» (рецензенты Л.В. Соколов, А.А. Шкляев)
  • Р.А.Жачук, С.А. Тийс «Атомная структура поверхности Si(331)-12×1» (рецензенты В.А. Гриценко, Н.Л. Шварц)
  • Д.И. Рогило, Л.И Федина, С.С. Косолобов, Б.С. Рангелов, А.В. Латышев «Зарождение 2D островков Si на поверхности Si(111) на начальных и поздних стадиях роста: роль проницаемости ступеней при пирамидальном росте» (рецензенты А.И. Торопов, А.И. Никифоров)
  • С.В. Ситников, А.В. Латышев, С.С. Косолобов «Кинетика движения атомных ступеней и зарождение вакансионных островков на ультра-широких террасах Si(111)» (рецензенты Н.Л. Шварц, Л.И. Федина)

Доклады вызвали активное обсуждение научных проблем.

В перерыве между секциями