В.В. Бакин, А.А. Пахневич, С.Н.Косолобов, Г.Э.Шайблер, А.C.Ярошевич, А.С.Терехов
Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках.
С помощью разработанного метода измерения тока фотоэмиссии вакуумных диодов в скрещенных электрическом и магнитном полях определены энергетические и угловые функции распределения электронов, эмитированных в вакуум из арсенида галлия, активированного цезием и кислородом до состояния отрицательного электронного сродства. На фотокатодах с улучшенной гладкостью поверхности впервые экспериментально наблюдался эффект преломления медленных термализованных фотоэлектронов, эмитированных в вакуум из p-GaAs(Cs,O) в баллистическом режиме без рассеяния компоненты квазиимпульса параллельной поверхности. Эффект преломления вызван скачком эффективной массы электронов на границе раздела полупроводник-вакуум и проявляет себя в виде необычайно узкого углового распределения электронов. Этот результат важен для практических применений GaAs-фотокатодов в фотоприемниках с пространственным разрешением и электронных пушках для научных исследований.
