ПУБЛИКАЦИИ
1990
- Zeman В.J., Kristofic J., Prinz V.Ya, Rechkunov S.N., Hubic P., Mares J.J. in Defect Control in Semiconductors ed. By K. Sumino, Elseveir, New York, 1990.
- Мальцев С.В., Принц В.Я., Речкунов С.Н., Процессы переноса и захвата электронов в гетероструктурах AlGaAs/GaAs с модулированным легированием. Горячие электроны в полупроводниках с пониженной размерностью, Л., 1990.
- Самойлов В.А., Якушева Н.А., Принц В.Я., Влияние изовалентной примеси Sb на образование электрически активных дефектов в GaAs. IX Всесоюзная конференция по физике полупроводников. Киев, 1990, с. 241-245.
- Вьюн В.А., Принц В.Я., Акусторезистивный эффект в системе пьезоэлектрик n-i структурах GaAs и фотоматрица на его основе. В кн. ”Материалы конференции “Акустоэлектронные устройства обработки информации на поверхностных акустических волнах”, Черкассы, 1990.
- Принц В.Я., Речкунов С.Н., Выявление неоднородности встроенного заряда в МДП-структурах на основе арсенида индия при измерении профиля легирования. Микроэлектроника, 1990, т. 19, в. 3, с. 252-257.