Лаборатория ближнепольной оптической спектроскопии и наносенсорики

ПРОЕКТЫ И ПУБЛИКАЦИИ

Проект Министерства образования и науки

2020-1902-01-058, Квантовые структуры для посткремниевой электроники
Ответственный исполнитель Милёхин А.Г.

Проекты РФФИ

19-52-12041-ННИО_а Гигантское комбинационное рассеяние света полупроводниковыми наноструктурами с нанометровым пространственным разрешением
Руководитель Милёхин А.Г.

18-29-20066 мк Мультиспектральное усиление и детектирование ИК поглощения в полупроводниковых и органических наноматериалах на массивах металлических наноантенн
Руководитель Милёхин А.Г.

18-02-00615-а Эффекты усиления комбинационного рассеяния в гибридных наноструктурах полупроводник/металл
Руководитель Милёхин А.Г.

Журналы

2019

  1. K. Anikin, E. Rodyakina, S. Veber, A. Milekhin, A. Latyshev, D.R.T.Zahn, Localized surface plasmon resonance in gold nanoclusters arrays, Plasmonics, 14, 1527–1537 (2019), https://doi.org/10.1007/s11468-019-00949-2, IF=2.366, Q2
  2. S.V. Adichtchev, N.V. Surovtsev, T.A. Duda, and A.G. Milekhin, Brillouin Scattering From Langmuir–Blodgett Films Doped With CdS and CuS Nanoclusters Phys. Physica Status Solidi B, 256, 1800328-1-4, (2019) IF= 1.454, Q3
  3. К.В. Аникин, А.Г. Милёхин, Е.Е. Родякина, С.Л. Вебер, А.В. Латышев, D.R.T. Zahn Оптические плазмонные резонансы в массивах нанокластеров Au, Сибирский физический журнал, 14 (1) 63-75 (2019). DOI: 10.25205/2541-9447-2019-14-1-63-76
  4. M. Rahaman, A.G. Milekhin, A. Mukherjee, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, V.M. Dzhagan, and D.R.T. Zahn, The Role of a Plasmonic Substrate on the Enhancement and Spatial Resolution of Tip-enhanced Raman Scattering, Faraday Discussions, (2019) 214, 309-323, doi: 10.1039/C8FD00142A, IF= 3.427. Q2
  5. E.Sheremet L.Kim, D.Stepanichsheva, V.Kolchuzhin, A.Milekhin, D.R.T.Zahn, R.D.Rodriguez, Localized surface curvature artifacts in tip-enhanced nanospectroscopy imaging, Ultramicroscopy, 206 (2019) 112811, doi: 112811, 10.1016/j.ultramic.2019.112811, IF= 2.644, Q1
  6. К.В. Аникин, А.Г. Милёхин, M. Rahaman, Т.А. Дуда, И. Милёхин, Е.Е. Родякина, Р.Б. Васильев, V.M. Dzhagan, D.R.T. Zahn, А.В. Латышев, Плазмон-усиленная ближнепольная оптическая спектроскопия многокомпонентных полупроводниковых наноструктур, Автометрия, 55, 69-77 (2019). DOI: 10.15372/AUT20190511
  7. Milakhin D.S., Malin T.V., Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., and Zhuravlev K.S., Electron-stimulated aluminum nitride crystalline phase formation on the sapphire surface. Physica Status Solidi B, v. 256, №6, p. 1800516 (1-5), 2019.
  8. Некрасов Д.В., Курусь Н.Н., Дульцев Ф.Н., Ломзов А.А., Шевелёв Г.Ю., Пышный Д.В., Использование кварцевого резонатора для определения термодинамических параметров механической денатурации двойной спирали ДНК, Молекулярная генетика, микробиология и вирусология, спецвыпуск, с. 38, 2019.
  9. Е.С. Дюдеева, Н.Н. Курусь, Ф.Н. Дульцев, А.А. Ломзов, Г. Ю. Шевелёв, Д.В. Пышный, Исследование кинетики гибридизации олигонуклеотидов ДНК методом VFDM, Молекулярная генетика, микробиология и вирусология, спецвыпуск, с. 26, 2019.
  10. Климов А.Э., Акимов А.Н., Ахундов О.И., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Эпов В.С., Терещенко О.Е. Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон. Физика и техника полупроводников, т. 53, №9, с. 1207, 2019.
  11. Тарасов А.С., Ищенко Д.В., Акимов А.Н., Ахундов О.И., Голяшов В.А., Климов А.Э., Пащин Н.С., Супрун С.П., Федосенко Е.В., Шерстякова В.Н., Терещенко О.Е. Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоёв PbSnTe с составом вблизи инверсии зон, Журнал технической физики, т. 89, №11, с. 1795-1799, 2019.
  12. Kaveev A.K., Golyashov V.A., Klimov A.E., Schwier E.F., Suturin S.M., Tarasov A.S., Tereshchenko O. E. Structure and magneto-electric properties of Co-based ferromagnetic films grown on the Pb0.71Sn0.29Te crystalline topological insulator, Materials Chemistry and Physics, v. 240, p. 122134, 2020.
  13. Фильнов C.О., Сурнин Ю.А., Королёва А.В., Климовских И.И., Естюнин Д.А., Варыхалов A.Ю., Бокай К.А., Кох K.A., Терещенко O.E., Голяшов В.А., Шевченко E.В., Шикин A.M. Магнитная и электронная структуры Gd-легированного топологического изолятора Bi1.09Gd0.06Sb0.85Te3. ЖЭТФ, т. 156, вып. 2 (8), стр. 1–10, 2019.

2020

  1. K.V. Anikin, V.А. Timofeev, D. Solonenko, А.I. Nikiforov. A.G. Milekhin, D.R.T. Zahn, Acoustic Phonons in periodical GeSiSn/Si nanostructures, Journal of Physics: Conference Series, 1461 (2020) 012005, doi:10.1088/1742-6596/1461/1/012005
  2. A.G. Milekhin, S.A. Kuznetsov, E.E. Rodyakina, K.V. Anikin, I.A. Milekhin, S.L. Veber, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Arrays of Metal Nanostructures for Plasmon-enhanced Spectroscopy, Journal of Physics: Conf. Series, 1461 (2020) 012100, doi:10.1088/1742-6596/1461/1/012100
  3. А.Г. Милёхин, Т.А. Дуда, Е.Е. Родякина, К.В. Аникин, С.А. Кузнецов, I.A. Milekhin, D.R.T. Zahn, А.В. Латышев, Плазмон-усиленная колебательная спектроскопия полупроводниковых нанокристаллов, Автометрия, 56 (5), 64-71 (2020).
  4. I.A. Milekhin, M. Rahaman, K.V. Anikin, E.E. Rodyakina, T.A. Duda, B.M. Saidzhonov, R.B. Vasiliev, V.M. Dzhagan, A.G. Milekhin, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Resonant Tip-enhanced Raman Scattering by CdSe Nanocrystals on Plasmonic Substrates, Nanoscale Advances, 2, 5441–5449 (2020), DOI: 10.1039/D0NA00554A
  5. I.A. Milekhin, K.V. Anikin, M. Rahaman, E.E. Rodyakina, T.A. Duda, B.M. Saidzhonov, R.B. Vasiliev, V.M. Dzhagan, A.G. Milekhin, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn, Resonant plasmon enhancement of light emission from CdSe/CdS nanoplatelets on Au nanodisk arrays, Journal of Chemical Physics, 153, 164903 (2020); https://doi.org/10.1063/5.002308
  6. Kurus N.N., Dultsev F.N., Golyshev V.M. Nekrasov D.V., Pyshnyi D.V. and Lomzov A.A. A QCM-based rupture event scanning technique as a simple and reliable approach to study the kinetics of DNA duplex dissociation. Analytical Methods, v.12, №30, р.3771-3777, 2020 (https://doi.org/10.1039/D0AY00613K)
  7. Golod S.V., Gayduk A.E., Kurus N.N., Kubarev V.V., and Prinz V.Ya. 3D micro/ nanoshaping of metal strip arrays by direct imprinting for chiral metasurfaces. Nanotechnology, v. 31, № 43, p. 435302, 2020 (https://doi.org/10.1088/1361-6528/aba46c)
  8. Климов А.Э., Акимов А.Н., Ахундов И.О., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Матюшенко Е.В., Неизвестный И.Г., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е., Эпов В.С. Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами. Физика и техника полупроводников, Т. 54, №. 10, С. 1122 (2020).
  9. Akimov A.N., Akhundov I.O., Ishchenko D.V., Klimov A.E., Neizvestny I.G., Paschin N.S., Suprun S.P., Tarasov A.S., Tereshchenko O.E., Fedosenko E.V. & Sherstyakova V.N. Sign-Alternating Photoconductivity in PbSnTe: In Films in the Space-Charge-Limited Current Regime. Semiconductors, 54 (8), 951-95 (2020).
  10. Kaveev A.K., Golyashov V.A., Klimov A. E., Schwier F., Suturin S.M., Tarasov A.S., Tereshchenko O.E., Structure and magneto-electric properties of Co-based ferromagnetic films grown on the Pb0.71Sn0.29Te crystalline topological insulator. Materials Chemistry and Physics, 240, 122134 (2020).
  11. Kokh K.A., Nebogatikova N.A., Antonova I.V., Kustov D.A., Golyashov V.A., Goldyreva E.S., Stepina N.P., Kirienko V.V., Tereshchenko O.E. Vapor growth of Bi2Se3 and Bi2O2Se crystals on mica. Materials Research Bulletin, 129, 110906 (2020). (10.1016/j.materresbull.2020.110906).
  12. Paulish A.G., Gusachenko A.V., Morozov A.O., Golyashov V.A., Dorozhkin K.V., Suslyaev V.I. Sensitivity of the tetraaminodiphenyl based pyroelectric sensor from visible to sub-THz range. Sensor Review, 40(3), 0260-2288 (2020). (10.1108/SR-03-2020-0047)
  13. Zhuravlev K., Mansurov V., Galitsyn Yu., Malin T., Milakhin D. and Zemlyakov V. Evolution of the surface states during the in situ SiN layer formation on AlN/GaN heterostructures. Semiconductor Science and Technology, v.35, p.075004 (2020). (doi.org/10.1088/1361-6641/ab7e44)
  14. Utkin D.E., Anikin K.V., Veber S.L., Shklyaev A.A. Dependence of light reflection of germanium Mie nanoresonators on their aspect ratio. Optical Materials, v.109, p.110466 (2020). (10.1016/j.optmat.2020.110466)
  15. Gospodarič J., Dziom V., Shuvaev A., Dobretsova A.A., Mikhailov N.N., Kvon Z.D., Novik E.G., and Pimenov A. Band structure of a HgTe-based 3D topological insulator. Physical Review B v.102, p.115113 (2020).
  16. Aleksandrov I. A., Malin T. V., Milakhin D. S., Ber B. Ya., Kazantsev D. Yu. and Zhuravlev K. S., Donor-acceptor nature of orange photoluminescence in AlN, Semiconductor Science and Technology, v. 35, pp. 125006 (2020).
  17. Milakhin, D. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Galitsyn, Y. G., Zhuravlev, K. S. Optimal Stage Determination of Sapphire Nitridation Process Completion under High-Energy Electron Beam Influence. 21st International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), p. 14-18 (2020) DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153543
  18. Malin T.V., Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., Milakhin D.S., Protasov D.Yu., Ber B.Ya., Kazantsev D.Yu., Ratnikov V.V., Shcheglov M.P., Smirnov A.N., Davydov V.Yu., Zhuravlev K.S., Mg3N2 nanocrystallites formation during the GaN:Mg layers growth by the NH3-MBE technique. Journal of Crystal Growth, 554, 125963 (2021).
  19. Milakhin D.S., Malin T.V., Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., Kozhukhov A.S., Utkin D.E., Zhuravlev K.S. Peculiarities of the AlN crystalline phase formation in a result of the electron-stimulated reconstruction transition (√31×√31)R±9°-(1×1). Applied Surface Science, 541, 148548 (2021).

Доклады на конференциях

Приглашенные

2019

  1. Милёхин А., Rahaman M., Дуда Т., Милёхин И., Аникин К., Родякина Е., Васильев Р.Б., Dzhagan V.M., Zahn D.R.T., Латышев А.В., Локальный спектральный анализ полупроводниковых наноструктур, XIV Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2019, 9-13 сентября, Новосибирск
  2. Milekhin A.G., Rahaman M., Duda T.A., Rodyakina E.E., Vasiliev R.B., Milekhin I.A., Anikin K.V., Dzhagan V.M., Latyshev A.V., Zahn D.R.T., Plasmon-enhanced optical spectroscopies of semiconductor nanostructures, The 27th International Conference on Advanced Laser Technologies (ALT’19), 15-20 September 2019, Prague, Czech Republic
  3. Милёхин А.Г., Оптика полупроводниковых структур с нанометровым пространственным разрешением, Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», 26 - 28 ноября 2019 Новосибирск
  4. Dobretsova A.A., Chepelianskii A.D., Mikhailov N.N. and Kvon Z.D., Spin mixing between subbands and extraordinary Landau-level shift in wide HgTe quantum wells”, International Workshop “Quantum transport in 2D systems – III”, Bagnères-de-Luchon (France), May 25 – June 1, 2019.
  5. Терещенко О.Е., Голяшов В.А., Кавеев А.К., Климов А.Э., Акимов А.Н., Тарасов А.С., Ищенко Д.В., Супрун С.П., Ахундов О.И., Спиновая поляризация и спин-зависимый транспорт в кристаллическом топологическом изоляторе PbSnTe, XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, 9-13 сентября, 2019.

Устные

2019

  1. Rahaman M., Milekhin A.G., Mukherjee A., Rodyakina E.E., Latyshev A.V., Dzhagan V.M. and Zahn D.R.T., The role of a plasmonic substrate on the enhancement and spatial resolution of tip-enhanced Raman scattering, Faraday discussion, 18-20 February, London, UK, Paper 24057,
  2. Милёхин А.Г., Rahaman M., Дуда Т.А., Милёхин И.А., Аникин К.В., Родякина Е.Е., Васильев Р.Б., Dzhagan V.M., Zahn D.R.T., Латышев А.В., Локальный спектральный анализ полупроводниковых нанокристаллов , Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники, Фотоника 2019, 27-31 мая 2019 г., Новосибирск
  3. Милёхин А., Rahaman M., Дуда Т., Милёхин И., Аникин К., Родякина Е., Васильев Р.Б., Dzhagan V.M., Zahn D.R.T., Латышев А.В., Локальный спектральный анализ полупроводниковых наноструктур, XXIII симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 11-14 марта 2019, Нижний Новгород
  4. Milekhin A.G., Kuznetsov S.A., Rodyakina E.E., Anikin K.V., Milekhin I.A., Veber S.L., Latyshev A.V., Zahn D.R.T., Arrays of Metal Nanostructures for Plasmon-enhanced Spectroscopy, METANANO-2019, 15-19 July 2019, St.Petersburg
  5. Шкляев А.А., Царёв А.В., Колосовский Е.А., Аникин К.В., Милёхин А.Г., Покрытия из массивов субмикронных частиц Ge и их антиотражающие свойства, Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники , Фотоника 2019, 27-31 мая 2019 г., Новосибирск
  6. Аникин К.В., Милёхин А.Г., Родякина Е.Е., Вебер С.Л., Латышев А.В., Zahn D.R.T., Оптические плазмонные резонансы в массивах нанокластеров Au, Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники , Фотоника 2019, 27-31 мая 2019 г., Новосибирск
  7. Голяшов В.А., Климов А.Э., Акимов А.Н., Тарасов А.С., Ищенко Д.В., Супрун С.П., Кавеев А.К., Терещенко О.Е., Спиновая поляризация и спин-зависимые эффекты в кристаллическом топологическом изоляторе PbSnTe, XXIII симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 11-14 марта 2019.
  8. Tarasov A.S., Akhundov I.O., Golyashov V.A., Ishchenko D.V., Suprun S.P., XPS and RHEED Study of Chemically Treated PbSnTe Surface, 20th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), Erlagol (Altai Republic), Russia, 29 июня-3 июля 2019.
  9. Акимов А.Н., Ахундов И.О., Ищенко Д.В., Климов А.Э., Пащин Н.С., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е., Федосенко Е.В., Шерстякова В.Н., Влияние поверхности на фотопроводимость плёнок Pb1-хSnхTe:In с составом 0,28 ≤ х ≤ 0,32, Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «ФОТОНИКА 2019», Новосибирск, 27–31 мая, 2019.
  10. Климов А.Э., Акимов А.Н., Голяшов В.А., Ищенко Д.В., Пащин Н.С., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е., Шерстякова В.Н., Эпов В. С., Локализованные состояния и фоточувствительность плёнок PbSnTe:In в ИК и ТГц областях спектра, Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «ФОТОНИКА 2019», Новосибирск, 27–31 мая, 2019.
  11. Климов А.Э., Акимов А.Н., Ахундов О.И., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Эпов В.С., Терещенко О.Е., Поверхностные состояния в PbSnTe:In МДП-транзисторе с индуцированным каналом, XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, 9-13 сентября, 2019.
  12. Golyashov V.A., Klimov A.E., Akimov A.N., Tarasov A.S., Ischenko D.V., Suprun S.P., Kaveev A.K., and Tereshchenko O.E. Spin polarized states and spin dependent effects in PbSnTe topological crystalline insulator. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» EASTMAG–2019, Ekaterinburg, Russia, September 08–13 2019. BOOK OF ABSTRACTS. VOLUME I, pp. 71-72, 2019. ISBN 978-5-9500855-7-4.
  13. Голяшов В.А., Назаров Н.А., Русецкий В.С., Миронов А.В., Аксенов В.В., Терещенко О.Е. Эмиссия и инжекция электронов низких энергий в вакуумных диодах с электродами на основе полупроводниковых гетероструктур с эффективным отрицательным электронным сродством. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники ФОТОНИКА 2019, Новосибирск, Россия, 27-31 мая 2019. ФОТОНИКА 2019: тезисы докладов, с. 37. ISBN 978-85957-153-6. DOI 10.34077/RCSP2019-37.
  14. В.С. Русецкий, В.А. Голяшов, Н.С. Назаров, И.Б. Чистохин, А.С. Ярошевич, Т.С. Шамирзаев, И.А. Деребезов, В.А. Гайслер, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, И.И. А.В. Миронов, В.В. Аксенов, О.Е. Терещенко, Фотоэмиссионные и инжекционные свойства полупроводниковых гетероструктур с эффективным отрицательным электронным сродством, XXIII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Россия, Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.

2020

  1. Голяшов В.А., Климов А.Э., Акимов А.Н., Тарасов А.С, Ищенко Д.В., Супрун С.П., Кавеев А.К., Терещенко О.Е., “Спиновый транспорт в пленках Pb1-xSnxTe с составами вблизи инверсии зон”, XXIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург, Россия, 17 – 22 февраля 2020, устный доклад. Докладчик. Тезисы докладов XXIII Уральской международной зимней школы по физике полупроводников, с. 156-157, 2020 ISBN 978-5-8295-0691-9.
  2. D.S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Y.G. Galitsyn, K.S. Zhuravlev, Optimal Stage Determination of Sapphire Nitridation Process Completion under High-Energy Electron Beam Influence, XXI International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, Chemal, Russia, 29 June - 3 July 2020, DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153543
  3. Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, К.С. Журавлев, Универсальная модель 2D решеточного газа для описания процесса нитридизации сапфира методом молекулярно-лучевой эпитаксии, XIV Всероссийская научная конференция молодых ученых"Наука. Технологии. Инновации" (НТИ-2020), Новосибирск, Россия, 30 Ноября – 4 Декабря 2020.

Стендовые

2019

  1. Anikin K.V., Timofeev V.А., Solonenko D. , Nikiforov А.I., Milekhin А.G., Zahn D.R.T., Acoustic Phonons in periodical GeSiSn/Si nanostructures, METANANO-2019, 15-19 July 2019, St.Petersburg
  2. Milekhin I.A., Rahaman M., Dzhagan V.M. , Zahn D.R.T., Duda T.A., Anikin K.V., Rodyakina E.E., Milekhin A.G., Latyshev A.V., Surface- and Tip-Enhanced Raman Scattering by CdSe Nanocrystals: Importance of Resonance Effects, International Conference of Enhanced Spectroscopy (ICES 4), June 17‐20th 2019, London, Ontario, Canada p.119
  3. Аникин К.В., Тимофеев В.А., Solonenko D., Никифоров А.И., Милёхин А.Г., Zahn D.R.T., Акустические фононы в сверхрешётках SiGeSn, XIV Российская конференция по физике полупроводников, Полупроводники 2019, 9-13 сентября, Новосибирск
  4. Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Журавлев К.С., Лебедок Е.В., Разумец Е.А. Образование нанокристаллов GaN на графеноподобных g-AlN и g-Si3N3 методом аммиачной МЛЭ. XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, Россия, санаторий «Сосновка», 9-13 сентября, 2019
  5. Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Малин Т.В., Милахин Д.С., Конфедератова К.А, Журавлев К.С., Лебедок Е.В., Разумец Е.А., Фазовый 2D-3D переход на поверхности (0001) тонкого слоя GaN. XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, Россия, санаторий «Сосновка», 9-13 сентября, 2019.
  6. Dobretsova A.A., Spin splitting of the surface states in HgTe quantum wells”, School for young scientists «Interaction between Radiation and Quantum Matter» (IRQ2019), Moscow, July 2-5, 2019.
  7. Добрецова А.А., Квон З.Д., Криштопенко С.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Спиновое расщепление поверхностных состояний в 20 нм HgTe квантовой яме, XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, 9 – 13 сентября 2019г.
  8. Голяшов В.А., Назаров Н.А., Русецкий В.С., Миронов А.В., Аксенов В.В., Терещенко О.Е. Угловое распределение эмитируемых из GaAs/(Cs,O) фотокатодов электронов. XIV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск, Россия, 9-13 сентября 2019. Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников. Часть 1, с. 94, 2019. ISBN 978-5-00150-447-4. DOI 10.34077/Semicond2019-94.
  9. Курусь Н.Н., Дульцев Ф.Н., Ломзов А.А., Шевелёв Г. Ю., Пышный Д.В., Исследование энергетического профиля механической денатурации двойной спирали ДНК методом атомно-силовой спектроскопии, V Школа-конференция молодых учёных «Неорганические соединения и функциональные материалы» ICFM-2019 , Новосибирск, Россия, 30 сентября- 4 ноября 2019г.
  10. Курусь Н.Н., Дюдеева Е.С., Дульцев Ф.Н., Ломзов А.А., Шевелёв Г. Ю., Пышный Д.В., Использование методов силовой спектроскопии для определения температуры плавления двойной спирали ДНК, V Школа-конференция молодых учёных «Неорганические соединения и функциональные материалы» ICFM-2019, Новосибирск, Россия, 30 сентября-4 ноября 2019г.
  11. Курусь Н.Н., Некрасов Н.В., Дульцев Ф.Н., Ломзов А.А.,. Шевелёв Г. Ю, Пышный Д.В., Использование химически функционализированного кварцевого резонатора в исследовании термодинамических параметров денатурации молекулы ДНК, V Школа-конференция молодых учёных «Неорганические соединения и функциональные материалы» ICFM-2019 , Новосибирск, Россия, 30 сентября- 4 ноября 2019г.
  12. Курусь Н.Н., Некрасов Н.В., Дульцев Ф.Н., Ломзов А.А.,. Шевелёв Г. Ю, Пышный Д.В., Использование химически функционализированного кварцевого резонатора в исследовании термодинамических параметров денатурации молекулы ДНК, V Школа-конференция молодых учёных «Неорганические соединения и функциональные материалы» ICFM-2019 , Новосибирск, Россия, 30 сентября- 4 ноября 2019г.
  13. Ахундов О.И., Голяшов В.А., Ищенко Д.В., Климов А.Э., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е., Пассивирующие и термодесорбционные свойства теллура на поверхности PbSnTe, XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, 9-13 сентября, 2019.
  14. Русецкий В.С., Голяшов В.А., Миронов А.В., Аксенов В.В., Терещенко О.Е., Исследование фотоэмиссионных свойств мультищелочных фотокатодов // XIV Российская конференция по физике полупроводников 9-13 сентября 2019 г, Новосибирск

2020

  1. Basalaeva L.S., Features of resonant light scattering by silicon metasurfaces, METANANO School – Summer school on nanophotonics and metamaterials, online, 6-10 Jule 2020, стендовый доклад.
  2. Basalaeva L.S., Light scattering by silicon nanopillars arrays, SLALOM – School on advanced light-emitting and optical materials, online, 29-30 June 2020.
  3. А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Е. В. Матюшенко, И. Г. Неизвестный, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, В. С. Эпов, О. Е. Терещенко, Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами, Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 9-13 марта.
  4. Д.С. Милахин, К.С. Журавлёв, Анализ фазового перехода AlN на поверхности сапфира в рамках универсальной модели 2D решеточного газа в условиях МЛЭ, XXII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, Россия, 23-27 Ноября 2020.