2016

на базе лаборатории физических основ материаловедения кремния

Административный корпус23 ноября 2016 г.
Конференц-залСреда, 10 часов

Игуменов Александр Юрьевич

ФГБОУВО «Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнёва»

Электронная спектроскопия структур на основе кремния и переходных металлов

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»

Рецензенты:
доктор физико-математических наук Попов Владимир Павлович,
кандидат физико-математических наук Соколов Леонид Валентинович.

Научный руководитель – кандидат физико-математических наук Паршин Анатолий Сергеевич




9 ноября 2016 г. в 10-00 в зале Административного корпуса ИФП СО РАН состоится Институтский семинар.

На семинаре выступит Dr. Joerg Debus из Технического университета г. Дортмунда ( Германия) с докладом "Magneto-optical effects of nitrogen vacancies in diamond".

Abstract:

The negatively charged nitrogen-vacancy (NV-) center in diamond has been studied in recent years on account of possible applications in quantum information processing, spin-electronics and, e.g., biophotonics.

Particular focus has been drawn onto its optical properties. In that context, the triplet ground state forming a two-level quantum system can serve as a quantum bit whose state can be controlled coherently by electron spin resonance. The spin coherence time reaches 2 ms at room temperature; thus, many operations can be performed before dephasing occurs.

The talk focuses on polarization-dependent optical studies of NV- centers in diamond subjected to high magnetic fields of up to 10 Tesla and high-frequency microwaves (60 GHz), thus providing insight into their energy- and spin-level structure. We observe asymmetric Zeeman splitting of the zero-phonon line photoluminescence, a strong optical alignment as well as Faraday rotation at room temperature. Also, the optically detected magnetic resonance of the NV- centers sensitively depends on the crystal orientation and light polarization. Hereby, the spin transitions of the NV- centers are driven into saturation already at a microwatt power level of microwave pumping, evidencing that the NV- centers are well decoupled from their environment. By comparison, a coupling between neutral (NV0) and negatively charged NV centers is observed for resonant optical excitation of NV0 and is assumed to be based on resonant energy transfer.

Административный корпус19 октября 2016 г.
Конференц-залСреда, 10 часов

Комаровских Андрей Юрьевич

ФГБУН Институт неорганической химии им. А.В. Николаева
Сибирское отделение РАН

Исследование структуры и электронного состояния парамагнитных центров в алмазе, связанных с вхождением фосфора, кислорода, водорода, кремния и германия

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по специальности 02.00.04 – физическая химия

Научный руководитель – доктор физико-математических наук Надолинный Владимир Акимович

Рецензент – доктор физико-математических наук Попов Владимир Павлович




на базе лабораторий:
молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5;
физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур;

Лабораторно-технологический корпус15 сентября 2016 г.
Комната №362Четверг, 10 часов

Ивин Сергей Викторович

Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева

Физико-химические процессы на поверхности растущего Si1-xGex при гидридной эпитаксии

Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
по специальности 02.00.04 – физическая химия

Рецензент – кандидат физико-математических наук Никифоров Александр Иванович




на базе лабораторий:
молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5;
физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур;

Лабораторно-технологический корпус15 сентября 2016 г.
Комната №362Четверг, 11 часов

Лазовой Кирилл Александрович

Национальный исследовательский Томский государственный университет

Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии
для приборов оптоэлектроники

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по специальности 01.04.10 – физика полупроводников

Рецензент – кандидат физико-математических наук Тимофеев Вячеслав Алексеевич




Административный корпус25 мая 2016 г.
Конф. залСреда, 10 часов

Володин Владимир Алексеевич

Локализация фононов, фонон-плазмонное и электрон-фононное взаимодействие в полупроводниковых наноструктурах

Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.10 – физика полупроводников

Научный консультант – член-корр. РАН, профессор, д.ф.-м.н. Двуреченский Анатолий Васильевич

Рецензент – профессор НГТУ, д.ф.-м.н. Штыгашев Александр Анатольевич




на базе лабораторий:
физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик;
неравновесных полупроводниковых систем;
физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5

Административный корпус18 мая 2016 г.
Конф. залСреда, 10 часов

Ерюков Николай Александрович

ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ НАНОСТРУКТУР ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ В ПРИСУТСВИИ ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСА

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 – физика полупроводников

Научный руководитель – доктор физико-математических наук Милёхин Александр Германович

Рецензент – доктор физико-математических наук Гайслер Владимир Анатольевич




на базе лабораторий:
Лазерной спектроскопии и лазерных технологий;
Нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики;
Мощных газовых лазеров

Административный корпус13 апреля 2016 г.
Конф. залСреда, 10 часов

Закревский Дмитрий Эдуардович

Исследование методов возбуждения лазерных сред на основе газовых разрядов среднего и высокого давления

Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.21 – лазерная физика

Рецензент – доктор физико-математических наук Владимир Егорович Прокопьев (Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск)




В среду, 3 февраля, в 10 часов в конференц-зале АК состоится институтский семинар.

"Recent Progress of High Speed Photonic Integration on Silicon"

Professor Yude Yu
Joint Laboratory of Bioinformation Acquisition and Sensing Technology
Beijing Key Laboratory of Genome and Precision Medicine Technologies
National Key Laboratory for Optoelectronic Integration
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing

Институтский семинар

13 января 2016 г.
Конф. зал AК
Cреда 10.00

Новогодний Семинар
Физика конденсированного состояния-2015 в мире, России, ИФП

Впечатлениями уходящего года делятся:
А.Л.Асеев, И.И.Бетеров, В.А.Гайслер, В.А.Гриценко, А.В.Двуреченский, З.Д.Квон, А.В.Латышев, И.Г.Неизвестный, А.В.Ненашев, Н.Н.Рубцова, В.П.Попов, В.Я.Принц, И.И.Рябцев, О.Е.Терещенко, В.А.Ткаченко, А.Шкляев, А.В.Чаплик, М.В.Энтин и все желающие