Андреева Наталья Владимировна, доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник НОЦ «Нанотехнологии», доцент кафедры Микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

1. Organismic memristive structures with variable functionality for neuroelectronics / Andreeva N. V., Ryndin E. A., Mazing D. S., Vilkov O. Y., Luchinin V. V. // Frontiers in Neuroscience. – 2022. – Vol. 16. – P. 913618. DOI 10.3389/fnins.2022.913618.
2. Compact Model for Bipolar and Multilevel Resistive Switching in Metal-Oxide Memristors / Ryndin E. A., Andreeva N. V., Luchinin V. V. // Micromachines. – 2022. – Vol. 13. – No. 1. – P. 98. DOI 10.3390/mi13010098.
3. Contact engineering approach to improve the linearity of multilevel memristive devices / Andreeva N. V., Mazing D. S., Romanov A. A., Gerasimova M. I., Chigirev D. A., Luchinin V. V. // Micromachines. – 2021. – Vol. 12, No 1. – 1567. DOI 10.3390/mi12121567.
4. Electron impact processes in voltage-controlled phase transition in vanadium dioxide thin films / Andreeva N. V., Turalchuk P. A., Chigirev D. A., Vendik I. B., Ryndin E. A., Luchinin V. V. // Chaos, Solitons and Fractals. – 2021. – Vol. 142. – P. 110503. DOI 10.1016/j.chaos.2020.110503.
5. Bipolar resistive switching properties of titanium dioxide thin films deposited by different techniques / Gerasimova M. I., Ivanov A. S., Mazing D. S., Chigirev D. A., Andreeva N. V. // Journal of Physics: Conference Series. – 2020. – Vol. 1697. – No. 1. – P. 012129. DOI 10.1088/1742-6596/1697/1/012129.
6. Mechanisms of electron transport in BaTiO3 ultrathin epitaxial films in the temperature range 40 K – 295 K / Andreeva N. V., Petrov A. A., Petraru A., Petukhov A. E., Rybkin, A. G. // Materials Research Express. – 2019. – Vol. 6. – No. 2. – P. 026427. DOI 10.1088/2053-1591/aaf24f.
7. Multilevel resistive switching in TiO2/Al2O3 bilayers at low temperature / Andreeva N. V., Ivanov A. S., Petrov A. A // AIP Advances. – 2018. – Vol. 8. – No. 2. – P. 025208. DOI 10.1063/1.5019570.
8. Mechanism of electron transport and bipolar resistive switching in lead oxide thin films / Petrov A. A., Andreeva N. V., Ivanov A. S. // AIP Advances. – 2018. – Vol. 8. – No. 10. – P. 105015. DOI 10.1063/1.5041839.

Лебедев Михаил Сергеевич, кандидат химических наук, старший научный сотрудник, лаборатория металлоорганических соединений для осаждения диэлектрических материалов, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук
Почтовый адрес: 630090 г.Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева 3, тел. +7(383)333-94-90, e-mail: , Web-сайт: http://www.niic.nsc.ru , отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

1. Rational Design on Polymorphous Phase Switching in Molybdenum Diselenide-Based Memristor Assisted by All-Solid-State Reversible Intercalation toward Neuromorphic Application / Lee L., Chiang C. H., Shen Y. C., Wu S. C., Shih Y. C., Yang T. Y., Hsu Y. C., Cyu R. H., Yu Y. J., Hsieh S.H., Chen C. H., Lebedev M. S., Chueh Y. L. //ACS nano. – 2023. – Vol. 17. – No. 1. – P. 84-93. DOI 10.1021/acsnano.2c04356.
2. The Structural and Electrical Properties of High-K Hf-Sm-O Thin Films Prepared by Atomic Layer Deposition / Petukhova D. E., Kichay V. N., Lebedev M. S. //2023 IEEE 24th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM). – IEEE, 2023. – P. 40-44. DOI 10.1109/EDM58354.2023.10225098.
3. Особенности роста и фазовый состав тонких пленок Hf-Sc-O, синтезированных методом атомно-слоевого осаждения / Петухова Д. Е., Викулова Е. С., Корольков И. В., Хмель С. Я., Лебедев М. С. //Журнал структурной химии. – 2023. – Т. 64. – №. 3. – С. 107605. DOI:10.26902/JSC_id107605.
4. Modeling of the optical properties of black silicon passivated by thin films of metal oxides / Katkov M. V., Ayvazyan G. Y., Shayapova V. R., Lebedev M. S. //Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences). – 2020. – Vol. 55. – P. 16-22. DOI 10.3103/S106833722001003X
5. Optical properties and charge transport of textured Sc2O3 thin films obtained by atomic layer deposition / Lebedev M. S., Kruchinin V. N., Afonin M. Yu., Korolkov I. V., Saraev A. A, Gismatulin A. A., Gritsenko V. A. //Applied Surface Science. – 2019. – Vol. 478. – P. 690-698. DOI 10.1016/j.apsusc.2019.01.288.
6. Composition-sensitive growth kinetics and dispersive optical properties of thin HfxTi1−xO2 (0 ≤ x ≤ 1) films prepared by the ALD method / Atuchin V. V., Lebedev M. S., Korolkov I. V., Kruchinin V. N., Maksimovskii E. A., Trubin S. V. //Journal of Materials Science: Materials in Electronics. – 2019. – Vol. 30. – P. 812-823. DOI 10.1007/s10854-018-0351-z.
7. Low-temperature fabrication of SiOx-TiO2 core-shell nanowires for photocatalytic application / Lebedev M. S., Khmel S. Y., Lyulyukin, M. N., Petukhova D. E., Barsukov, A. V. //Vacuum. – 2019. – Vol. 165. – P. 51-57. DOI 10.1016/j.vacuum.2019.03.059
8. Эволюция проводимости и катодолюминесценции пленок оксида гафния при изменении концентрации вакансий кислорода / Исламов Д. Р., Гриценко В. А., Кручинин В. Н., Иванова Е. В., Заморянская М. В., Лебедев М. С. //Физика твердого тела. – 2018. – Т. 60. – №. 10. – С. 2006-2013. – DOI 10.21883/FTT.2018.10.46532.114
9. Research of Atomic Layer Deposited HfO2/TiO2 Multilayer Structures by Spectroscopic and Multiangle Monochromatic Null Ellipsometry / Mishchenko I. B., Petukhova D. E., Lebedev M. S. //2018 19th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM). – IEEE, 2018. – P. 26-29. DOI 10.1109/EDM.2018.8434943.