ПУБЛИКАЦИИ
2000
Статьи в рецензируемых журналах
- И.В. Антонова, В.Ф. Стась, Е.П. Неустроев, В.П. Попов, Л.С. Смирнов «Термоакцепторы в облученном кремнии”. ФТП, т. 34, в. 2, с. 162 – 167, 2000.
- И.В. Антонова, В.Ф. Стась, В.П. Попов, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский. Проводимость КНИ структур, полученных сращиванием пластин кремния с использованием имплантации водорода. ФТП, т. 34, в. 9, 1095-1098, 2000.
- Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, M.-O. Ruault, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov, H. Bernas. Действие облучения и последующего отжига на нанокристаллы Si, сформированные в слоях SiO2. ФТП, т. 34, в. 8, сс. 1004-1009, 2000.
- Г.А. Качурин, Л. Реболе, И.Е. Тысченко, В.А. Володин, М. Фельсков, В. Скорупа, Х. Фреб. Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Ge. ФТП, т. 34, в. 1, с. 23-28, 2000.
- Бояркина Н.И., Васильев А.В. Участие электронной подсистемы кристалла в реакциях между многозарядными центрами в полупроводниках. ФТП, т. 34, в. 2, c. 172 – 175, 2000.
- И.В. Антонова, В.П. Попов, В.Ф. Стась «Блистеринг в кремнии, сильно легированном бором» Перспективные материалы" , № 6, 2000.
- И.В. Антонова, Е.П. Неустроев, В.П. Попов, В.Ф. Стась «Влияние облучения различными ионами на формирование донорных центров в кремнии». J.Advanced Materials. № 1 (2001).
- A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, A. Barcz, A. Romano-Rodriguez, I.V. Antonova, V.P. Popov, C.A. Londos, J. Jun. Effect of annealing at argon Pressure up to 1.2 GPa on hydrogen-implanted and hydrogen-plasma-etched single crystalline silicon, - Internat.Journ.of Hydrogen Energy.
- V.P. Popov, I.V. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, A.K. Gutakovskii, E.V. Spesivtsev, A.A. Franzusov, A.S. Mardegov, G. Feofanov “Properties of extremely thin silicon layer in silicon-on-insulator structure formed by smart-cut technology”, J. Mater. Sci. Eng. B, 73, 82 - 86 (2000).
- V.P. Popov, I.V. Antonova, A.K. Gutakovsky, E.V. Spesivtsev, I.I. Morosov «Ellipsometry and microscopy study of nanocrystalline Si:H layers formed by high-dose implantation of silicon”, J. Mater. Sci. Eng. B, 73, 120-123 (2000).
- V.P. Popov, I.V. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, E.P. Neustroev, A.K. Gutakovskii, A.A. Franzusov, G.N. Feofanov. “Structural and Electrical Properties of Silicon On Insulator Structures Manufactured on FZ-and Cz-Silicon by smart-cut technology” in P.L.F. Hemment (eds.) Perspectives, Science and Technologies for Novel SOI Devices, Kluwer, pp. 47-54, 2000.
- V.P. Popov, I.V. Antonova, E.P. Neustroev, D.V. Kilanov, A. Misiuk “Enhanced formation of thermal donors in oxygen implanted silicon annealed at different pressures”. Phys. B, B. 293, pp. 44-48, 2000.
- E.P. Neustroev, I.V. Antonova, V.P. Popov, V.F. Stas, V.A. Skuratov, A.Yu. Dyduk “Thermal donor formation in crystalline silicon irradiated by high energy ions”. NIM B. B 171, № 4, pp. 443-447, 2000.
- A. Misiuk, A. Barcz, J. Ratajczak, M. Lopez, A. Romano-Radriguez, J. Bak-Misiuk, H.B. Surma, J. Jung, I. Antonova, V. Popov. Effect of external stress on creation of burried SiO2 layer in silicon implanted with oxygen –.Mater. Sci. Eng. B.73, pp. 134-138, 2000.
- Г.А. Качурин, Л. Реболе, И.Е. Тысченко В.А. Володин, М. Фёльсков, В. Скорупа, Х. Фрёб, Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Ge. ФТП, т. 34, № 1, стр. 23-27, 2000.
- A. Misiuk, L. Rebohle, I.E. Tyschenko, A. Iller, J. Jun, A. Panas, Photoluminescence from pressure-annealed nanostructured silicon dioxide and nitride films, Nanostructured Films and Coatings, Kluwer Academic Publishers, pp. 157-170, 2000.
- I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, E.N. Vandyshev, L. Rebohle, A. Misiuk, R.A. Yankov, and W. Skorupa, Visible Photoluminescence from Germanium-Implanted Silicon Oxynitride Films after Annealing under Hydrostatic Pressure, Defects and Diffusion in Ceramics, v. 186-187, pp. 71-78, 2000.
- Г.П. Похил, В.П. Попов, А.К. Гутаковский, Деканалирование ионов в нанокристаллических слоях Si:Н, полученных облучением кремния ионами водорода. Известия АН, т. 64, в. 11, с. 2114-2119, 2000.