КВАНТОВЫЕ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ПОСТКРЕМНИЕВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ /Минобрнауки России; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. - Новосибирск, Параллель, 2023. – 224 с
ISBN 978-5-98901-273-2
Под редакцией академика А.В. Латышева
В настоящем издании представлены наиболее значимые научные результаты выполнения крупного научного проекта «Квантовые структуры для посткремниевой электроники» за 2020-2022 гг., поддержанного грантом Минобрнауки России по приоритетным направлениям научно-технологического развития РФ. Результаты отражают актуальные проблемы современной физики полупроводников для создания технологического и научного базиса электроники будущего.
Книга может быть полезна специалистам в области физики конденсированных сред, физики полупроводников и диэлектриков, физики и технологии низкоразмерных систем для опто- и наноэлектроники, твердотельной нанофотоники, наноплазмоники, сенсорики, квантовой электроники, спинтроники, лазерной и квантовой информатики.
Утверждено к печати Ученым советом ФГБУН Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
DOI 10.34077/ISP.2023-kvant
© ИФП СО РАН 2023
КВАНТОВЫЕ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ПОСТКРЕМНИЕВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
| ГЛАВА 1. InSb/InAlSb nBn-ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ИК ФОТОПРИЕМНИКОВ. М.А. Суханов, А.К. Бакаров, К.С. Журавлев Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск | стр.4 |
| ГЛАВА 2. ДЕТЕКТОРЫ ОДИНОЧНЫХ ФОТОНОВ НА ОСНОВЕ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ InP/InGaAs/InP. В.В. Преображенский, И.Б. Чистохин, М.А. Путято, М.С. Аксенов, Е.А. Емельянов, М.О. Петрушков, А.С. Плешков, И.Г. Неизвестный, И.И. Рябцев, А.В. Латышев Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск | стр.15 |
| ГЛАВА 3. ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ ТЕМПЕРАТУРЫ В ПРОЦЕССАХ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ
HgCdTe В.А. Швец1,2 , Д.В. Марин1, И.А. Азаров1, М.В. Якушев1, С.В. Рыхлицкий1 1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск 2Новосибирский государственный университет, Новосибирск | стр.26 |
| ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ МЕЖЗОННОЙ РЕЛАКСАЦИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ HgCdTe/CdHgTe ДЛЯ ЛАЗЕРОВ СРЕДНЕГО И ДАЛЬНЕГО ИК ДИАПАЗОНОВ В.Я. Алешкин1, А.А. Афоненко2, В.И. Гавриленко1, А.А. Дубинов1, С.А. Дворецкий3, М.С. Жолудев1, К.Е. Кудрявцев1, Н.Н Михайлов3, С.В. Морозов1, В.Г. Ремесник3, А.О. Рудаков1, В.В. Румянцев1, В.В. Уточкин1, Д.В. Ушаков2, М.А. Фадеев1 1Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия 2Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь 3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия | стр.39 |
| ГЛАВА 5. ОСОБЕННОСТИ КРАЕВОГО ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ТРАНСПОРТА В КВАНТОВЫХ ЯМАХ НА ОСНОВЕ HgTe. Е.Б. Ольшанецкий, З.Д. Квон, Д.А. Козлов, А.С. Ярошевич, Н.Н.Михайлов Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск | стр.53 |
| ГЛАВА 6. ОСОБЕННОСТИ МАГНИТОТРАНСПОРТА В ДВОЙНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМЕ HgTe/CdHgTe М.В. Якунин1, В.Я. Алешкин2, С.М. Подгорных1, В.Н. Неверов1, М.Р. Попов1, Н.Н. Михайлов3, С.А. Дворецкий3 1Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург 2Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород 3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск | стр.66 |
| ГЛАВА 7. ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЙ ОТКЛИК И СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ В ГИБРИДНЫХ СИСТЕМАХ С КОНДЕНСАТОМ БОЗЕ-ЭЙНШТЕЙНА D. Ko1,2, M. Sun3, A.V. Parafilo1,2, K. Villegas1,4, M.M. Махмудиан5,6, В.М. Ковалёв5,7, А.В. Чаплик5,6 и И.Г. Савенко1,2,5 1 Center for Theoretical Physics of Complex Systems, Institute for Basic Science, Daejon, Korea 2Basic Science Program, Korea University of Science and Technology, Daejon, Korea 3Faculty of Science, Beijing University of Technology, Beijing, China 4Division of Physics and Applied Physics, Nanyang Technological University, Singapore 5Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 6Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия 7Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия | стр.83 |
| ГЛАВА 8. СПИН-ЗАВИСИМЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ А3В5и А4В6 В.А. Голяшов, Д.В. Ищенко, В.С. Русецкий, А.С. Тарасов, А.Э. Климов, Н.П. Стёпина, С.П. Супрун, И.О. Ахундов, Е.В. Федосенко, Д.А. Кустов, А.О. Баженов, О.Е. Терещенко Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия | стр.96 |
| ГЛАВА 9. МАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЕ НОВЫХ КВАНТОВЫХ МАТЕРИАЛОВ. А.М. Шикин, А.А. Рыбкина, Д.А. Естюнин, Д.А. Глазкова, А.В. Тарасов, Д.Ю. Усачёв, А.Г. Рыбкин Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург | стр.111 |
| ГЛАВА 10. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ УСТРОЙСТВ КВАНТОВОЙ ФОТОНИКИ И СЕНСОРИКИ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР СО СПИНОВЫМИ КВАНТОВЫМИ ЦЕНТРАМИ В АЛМАЗЕ. В.П. Попов, С.Н. Подлесный, И.А. Карташев, В.А. Антонов Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск | стр.129 |
| ГЛАВА 11. РАЗРАБОТКА ОСНОВ ТЕХНОЛОГИИ БАЗОВЫХ НАНОЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ СВЕРХ-БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ УСТРОЙСТВ НА
ОСНОВЕ VO2, ДИНАМИЧЕСКИ УПРАВЛЯЕМЫХ МЕТАМАТЕРИАЛОВ, КВАНТОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР И 2D-МАТЕРИАЛОВ В.Я. Принц, С.В. Мутилин, А.Е. Гайдук, А.Б. Воробьев, В.А. Селезнев, И.В. Антонова Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск | стр.153 |
| ГЛАВА 12. МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ GeSiSn. В.А. Тимофеев, И.В. Скворцов, В.И. Машанов, А.И. Никифоров, А.К. Гутаковский, Т.А. Гаврилова, Д.В. Гуляев Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск | стр.171 |
| ГЛАВА 13. УПОРЯДОЧЕННЫЕ СТРУКТУРЫ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ Ge/Si ДЛЯ УСТРОЙСТВ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ. А. Ф. Зиновьева1,2, В. А. Зиновьев1, В. А. Володин1,2, А. К. Гутаковский1, А. С. Дерябин1, А. Ю. Крупин3, А. В. Ненашев1,2, А. А. Шкляев1,2, Л. В. Кулик4, В. Д. Живулько5, А. В. Мудрый5, А. В. Двуреченский1,2 1 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия 3Новосибирский технический государственный университет, Новосибирск, Россия 4Институт химической кинетики и горения СО РАН, Новосибирск, Россия 5ГО “НПЦ НАН Беларуси по материаловедению”, Минск, Республика Беларусь | стр.182 |
| ГЛАВА 14. ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ НАНОЧАСТИЦ И СТРУКТУР СУБВОЛНОВОГО РАЗМЕРА. В.А. Володин1,2, Б.С. Ездин1, С.А. Кузнецов1,3, А.А. Шкляев1,2 1Новосибирский государственный университет, Новосибирск 2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск 3Новосибирский филиал ИФП СО РАН ”КТИПМ”, Новосибирск | стр.192 |
| ГЛАВА 15. ПЛАЗМОН-УСИЛЕННАЯ ОПТИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР. А.Г. Милёхин1, И.А. Милёхин1,2, Н.Н. Курусь1, Б.М. Сайджонов3, Р.Б. Васильев3, А.Ю.Кривоногова1, A.В. Латышев1,2, D.R.T. Zahn4 1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия 3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 4Semiconductor Physics, Chemnitz University of Technology, Germany | стр.208 |