ФОТОНИКА 2023: Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. / ИФП СО РАН. – М. : Издательство "Перо", 2023. – 170 с.

ISBN 978-5-00218-581-8

В сборник вошли тезисы докладов, представленных на Российской конференции и школе молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2023», проходившей 4-8 сентября 2023 года в г. Новосибирске.

Тематика конференции охватывает широкий круг вопросов физики квантовых эффектов, оптических и фотоэлектрических явлений, формирования наноструктур на основе широкого спектра полупроводниковых материалов и нанокристаллов, преобразования и взаимодействия оптического излучения. Материалы отражают новейшие направления развития отечественных фотоэлектронных технологий, связанные с регистрацией сверхслабых оптических сигналов в ультрафиолетовом, инфракрасном, терагерцовом и видимом диапазонах спектра. Сборник может быть полезен специалистам в области фотоэлектроники, а также будет интересен преподавателям ВУЗов, аспирантам и студентам.

Тезисы издаются в авторской редакции.

УДК 621.383(043)
ББК 32.854я431+22.343я431
ISBN 978-5-00218-581-8
© ИФП СО РАН, 2023

ФОТОНИКА 2023 : Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)

Содержание
стр. 7
Состояние работ и перспективы матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия.
К.О. Болтарь, И.Д. Бурлаков, П.В. Власов, В.В. Ерошенков, А.А. Лопухин, Н.И. Яковлева
DOI 10.34077/RCSP2023-16
стр.16
Состояние и перспективы развития охлаждаемых фотоприемных устройств на основе сложных гетероструктур узкозонных полупроводников.
М.В. Якушев, А.В. Латышев, К.С. Лопаткин, Г.Ю. Сидоров, П.А. Сысоев
DOI 10.34077/RCSP2023-17
стр.17
Фотоприемники и фотоприемные устройства ИК-диапазона спектра для оптико-электронных систем космического базирования.
В.В. Карпов, С.А. Кузнецов
DOI 10.34077/RCSP2023-18
стр.18
Магнитооптические эффекты в композитных плазмонных наноструктурах
И.А. Колмычек, В.Б. Новиков, Т.В. Мурзина
DOI 10.34077/RCSP2023-19
стр.19
Киральные пленочные структуры на основе массивов кобальтовых наноспиралей, получаемые методом наклонного напыления.
О.С. Трушин, И.С. Фаттахов, А.А. Попов, Л.А. Мазалецкий, Р.А. Гайдукасов, А.В. Мяконьких
DOI 10.34077/RCSP2023-20
стр.20
Влияние состава матрицы и режимов эпитаксиальных роста на оптические и структурные свойства квантовых точек InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы.
В.В. Андрюшкин, И.И. Новиков, А.Г. Гладышев, А.В. Бабичев, Л.Я. Карачинский, Е.С. Колодезный, А.Ю. Егоров
DOI 10.34077/RCSP2023-21
стр.21
Влияние ионной очистки и отжига на параметры Pt/InAlAs барьеров Шоттки.
И.Ю. Гензе, М.С. Аксенов, Д.В. Дмитриев
DOI 10.34077/RCSP2023-22
стр.22
Сверхлегирование кремния различными примесями с помощью прямой лазерной записи: от фундаментальных исследований к практическим результатам.
М.С. Ковалев, С.И. Кудряшов
DOI 10.34077/RCSP2023-23
стр.23
Подготовка подложек CdZnTe с морфологией поверхности «epi-ready» для синтеза твердых растворов A2B6 методом МЛЭ.
А.А. Трофимов, И.А. Денисов, М.Б. Гришечкин, А.Н. Моисеев, А.В. Чилясов, В.С. Евстигнеев, А.Е. Гончаров, К.А. Гладышева, А.С. Суханова, В.А. Малыгин, А.М. Косякова, Е.А. Климов
DOI 10.34077/RCSP2023-24
стр.24
Термопластичное халькогенидное стекло ИК диапазона для микрооптических элементов.
А.В. Семенча, Н. Маннатхоко, В.А. Клинков, Н.А. Кононов
DOI 10.34077/RCSP2023-25
стр.25
Двухфотонные квантовые каскадные лазеры терагерцового диапазона
В.И. Гавриленко
DOI 10.34077/RCSP2023-26
стр.26
Моделирование терагерцового квантово-каскадного лазера на основе AlGaInP.
А.А. Дубинов, А.А. Афоненко, Д.В. Ушаков
DOI 10.34077/RCSP2023-27
стр.27
Оптические свойства кристаллов GaSe:S и перспективы их применения в телекоммуникационных устройствах.
О.Н. Шевченко, Н.А. Николаев, В.Д. Анцыгин, К.А. Кох, С.Л. Микерин
DOI 10.34077/RCSP2023-28
стр.28
Применение поверхностного плазмонного резонанса на антимониде индия для исследования тонких пленок в терагерцевом диапазоне.
В.В. Герасимов, И.Ш. Хасанов, А.К. Никитин, О.Э. Камешков, А.И. Иванов, А.Г. Лемзяков, В.П. Назьмов
DOI 10.34077/RCSP2023-29
стр.29
Покрытия VO2 на кристаллических подложках для устройств визуализации ИК и ТГц диапазонов.
О.В. Бойцова, О.Н. Макаревич, А.М. Макаревич
DOI 10.34077/RCSP2023-30
стр.30
Диалкиламинозамещённые красители и их комплексы как перспективные системы для лазеров терагерцового диапазона.
Е.С. Медянцев, Н.О. Дубинец, Н.А. Лобова
DOI 10.34077/RCSP2023-31
стр.31
Развитие рентгеновской нанофотоники на базе совершенствования плоских рентгеновских волноводов-резонаторов.
В.К. Егоров, Е.В. Егоров
DOI 10.34077/RCSP2023-32
стр.32
Квантовые сенсоры электрических полей на основе ридберговских атомов.
И.И. Рябцев, В.М. Энтин, Д.Б. Третьяков, Е.А. Якшина, И.И. Бетеров
DOI 10.34077/RCSP2023-33
стр.33
Формирование нанокристаллов CsPbBr3 в боросиликатном стекле.
В.А. Клинков, В.Б. Арчелков, А.В. Семенча, Т.Ю. Седегова
DOI 10.34077/RCSP2023-34
стр.34
Детектор ЭМ излучения на основе лазерно-индуцированного пористого графена.
А.В. Телегин, Ю.П. Сухоруков, К.Г. Михеев, Р.Г. Зонов, Л.И. Наумова, Г.М. Михеев
DOI 10.34077/RCSP2023-35
стр.35
Электрооптические модуляторы C-диапазона на основе InP.
Д.В. Гуляев, Д.В. Дмитриев, А.В. Царев, М.С. Аксенов и К.С. Журавлев
DOI 10.34077/RCSP2023-36
стр.36
ФИС – Почему так просто и почему так сложно? (состояние и перспективы развития Фотонных Интегральных Схем в РФ).
А.А. Ковалев, В.В. Светиков, К.Э. Певчих
DOI 10.34077/RCSP2023-37
стр.37
Подход к формированию киральных метаматериалов методами 3D-печати и теневого напыления металла.
С.В. Голод, А.Е. Гайдук
DOI 10.34077/RCSP2023-38
стр.38
Моделирование бимодового сенсора со встроенным модовым фильтром в структуре кремний на изоляторе.
А.В. Царев
DOI 10.34077/RCSP2023-39
стр.39
Зависимость частотно-модуляционной характеристики вертикально-излучающих лазеров 1,55 мкм от топологических размеров рабочей области.
К.О. Воропаев, И.О. Воропаева, С.А. Блохин, Л.Я.Карачинский, И.И. Новиков
DOI 10.34077/RCSP2023-40
стр.40
Исследование конструкций гетерогенной интеграции полупроводниковых A3B5 лазеров на SOI волноводные фотонные схемы.
В.В. Золотарев, И.С. Шашкин, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, В.В. Светиков, К.Э. Певчих
DOI 10.34077/RCSP2023-41
стр.41
Изменение направления распространения света покрытиями из диэлектрических частиц.
А.А. Шкляев, Ч. Чжен
DOI 10.34077/RCSP2023-42
стр.42
Фотоприемники на основе материалов с ограниченной размерностью.
В.С. Попов, В.П. Пономаренко, В.Ф. Разумов, В.В. Иванов
DOI 10.34077/RCSP2023-43
стр.43
Исследование динамики носителей заряда в гибридных структурах InGaAs «Квантовые Яма- Точки» методом ап-конверсии фотолюминесценции.
А.М. Надточий, К.А. Иванов, С.А. Минтаиров, М.В. Максимов, Н.В. Крыжановская, А.Е. Жуков
DOI 10.34077/RCSP2023-44
стр.44
Магнитооптика квантовых точек из халькогенидов свинца.
И.Д. Авдеев, С.В. Гупалов, М.О. Нестоклон
DOI 10.34077/RCSP2023-45
стр.45
Получение и свойства золей и тонких пленок коллоидных квантовых точек селенида ртути.
И.А. Шуклов, Д.В. Дёмкин
DOI 10.34077/RCSP2023-46
стр.46
Излучающие свойства упорядоченных массивов кремниевых дисковых резонаторов со встроенными в них GeSi квантовыми точками.
Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, М.В. Степихова, С.А. Дьяков, И.А. Смагин, Е.Е. Родякина, В.А. Вербус, А.В. Кацюба, М.С. Михайловский, К.Н. Астанкова, П.А. Кучинская, А.В. Новиков
DOI 10.34077/RCSP2023-47
стр.47
Фотолюминесценция пленок SiO2, имплантированных ионами In+ и As+ в режимах ионного синтеза нанокристаллов InAs.
И.Е. Тысченко, Ч. Сы, С.Г. Черкова, В.П. Попов
DOI 10.34077/RCSP2023-48
стр.48
Влияние лигандов на свойства тонких пленок коллоидных квантовых точек халькогенидов ртути и характеристики фоторезисторов, полученных на их основе.
Т. Миленкович, И.А. Шуклов, В.С. Попов
DOI 10.34077/RCSP2023-49
стр.49
Алгоритмы и аппаратно-программные решения формирования и обработки изображений для современных отечественных матричных ИК ФПУ.
А.В. Полесский, И.Д. Бурлаков, Д.Э. Драгунов, П.С. Лазарев, М.Ю. Ляпустин, В.В. Старцев
DOI 10.34077/RCSP2023-50
стр.50
Разработка высокоскоростных и высокотемпературных охлаждаемых ИК фотоприемных устройств на основе КРТ.
Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, В.В. Васильев, М.П. Семенов, Д.В. Марин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, Д.Г. Икусов, А.В. Зверев, Ю.С. Макаров, А.В. Предеин, И.В. Марчишин, А.В. Вишняков, В.Г. Ремесник, Д.В. Горшков, А.В. Латышев
DOI 10.34077/RCSP2023-51
стр.51
Увеличение дальности обнаружения и распознавания объектов с использованием устройства микросканирования.
Р.А. Гладков, И.И. Кремис
DOI 10.34077/RCSP2023-52
стр.52
Оценка влияния деконволюции на качество изображения оптико-электронных систем средневолнового ИК диапазона спектра.
П.С. Лазарев, А.Д. Юдовская, М.Ю. Ляпустин
DOI 10.34077/RCSP2023-53
стр.53
Фотоприемные устройства для оптико-электронной системы глобального мониторинга содержания малых газовых компонент атмосферы Земли из космоса.
А.М. Малхасян, И.Я. Рассказов, Е.А. Лапшин, Ю.А. Пластинин, Ю.П. Сырых
DOI 10.34077/RCSP2023-54
стр.54
Влияние распределения освещенности в пятне рассеяния оптического зонда на значение коэффициента фотоэлектрической связи ФПУ.
Н.А. Семенченко
DOI 10.34077/RCSP2023-55
стр.55
“Медленный” свет в спектрах фототока в структурах с квантовыми точками Ge/Si, сопряженных с фотонными кристаллами.
А.И. Якимов , В.В. Кириенко, А.В. Двуреченский, Д.Е. Уткин
DOI 10.34077/RCSP2023-56
стр.56
Магнитопоглощение в гетероструктурах на основе CdHgTe с двойными квантовыми ямами.
А.В. Иконников, С. С. Криштопенко, Л.С. Бовкун, М.А. Фадеев, В.Я. Алешкин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, S. Ruffenach, C. Consejo, J. Torres, B.А. Piot, M. Potemski, M. Orlita, С.В. Морозов, F. Teppe, В.И. Гавриленко
DOI 10.34077/RCSP2023-57
стр.57
Релаксация фототока в эпитаксиальных пленках узкозонного PbSnTe:In в условиях меняющейся освещенности.
А.Э. Климов, И.О. Ахундов, В.А. Голяшов, Д.В. Ищенко, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, О.Е. Терещенко
DOI 10.34077/RCSP2023-58
стр.58
Самоохлаждение гетероструктур p-InAsSbP/n-InAs0.9Sb0.1 при обратном смещении p-n перехода.
С.А. Карандашев, А.А. Лавров, Т.С. Лухмырина, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный
DOI 10.34077/RCSP2023-59
стр.59
Активированная лазерным излучением енерация второй гармоники в гибкой мембране с кремниевыми нитевидными нанокристаллами.
В.А. Масталиева, В.В. Неплох, А.В. Айбуш, В.В. Фёдоров, А.А. Якубова, О.Ю. Коваль, А.С. Гудовских, С.В. Макаров, И.С. Мухин
DOI 10.34077/RCSP2023-60
стр.60
2D-GaN/AlN monolayer quantum disks for mid-ultraviolet emitters.
V.N. Jmerik, D.V. Nechaev, A.N. Semenov, E.A. Evropeitsev, T.V. Shubina, M.A. Yagovkina, P.A. Alekseev, B.R. Borodin, M.M. Kulagina, Yu.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, A.A. Toropov, V.I. Kozlovsky, M.M. Zverev, N.A. Gamov, T. Wang, X. Wang, M. Pristovsek, H. Amano, S.V. Ivanov
DOI 10.34077/RCSP2023-61
стр.61
Локальный контроль слабых напряжений на поверхности структур (013) HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с помощью генерации второй гармоники.
М.Ф. Ступак, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин
DOI 10.34077/RCSP2023-62
стр.62
Малошумящие лавинные фотодиоды для систем связи (Обзор).
И.Б. Чистохин, А.М. Гилинский, М.С. Аксенов, В.В. Преображенский, К.С. Журавлев, А.С. Башкатов
DOI 10.34077/RCSP2023-63
стр.63
Фотопроводимость сверхлегированного кремния в среднем-дальнем ИК-диапазоне, усиленная квази-континуумом примесных состояний легирующей серы.
С.И. Кудряшов, А.А. Настулявичус, М.С. Ковалев, А.Р. Ахматханов, В.И. Пряхина, В.Я. Шур
DOI 10.34077/RCSP2023-64
стр.64
1.54 мкм электролюминесценция в пленках In2O3:Er, магнетронно напыленных на кремнии.
К.В. Феклистов, А.Г. Лемзяков, А.А Шкляев, Д.В. Гуляев, Д.С. Абрамкин, Е.В. Спесивцев, А.М. Пугачев, В.А. Володин, С.А. Кочубей, К.С. Ершов, Л.Н. Сафронов, А.К. Гутаковский, В.И. Вдовин, Ю.А. Живодков, А.Ф. Зиновьева, Д.Ю. Протасов, А.С. Дерябин, А.И. Комонов, Д.Г. Есаев, А.Н. Шмаков, А.В. Капишников, И.П. Просвирин, В.А. Голяшов, О.Е. Терещенко
DOI 10.34077/RCSP2023-65
стр.65
Возможности управления излучающими свойствами кремниевых структур с наноостровками Ge(Si) в двумерных фотонных кристаллах.
А.В. Перетокин, М.В. Степихова, А.Н. Яблонский, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов, М.В. Шалеев, Д.В. Шенгуров, Е.Е. Родякина, Ж.В. Смагина, С.А. Дьяков
DOI 10.34077/RCSP2023-66
стр.66
Гибридные электронно-оптические преобразователи от УФ до ТГц диапазона.
Г.Э. Шайблер, В.В. Бакин, С.А. Рожков, В.С. Русецкий, В.А. Голяшов, Д.А. Кустов, Д.М. Казанцев, В.С. Хорошилов, И.О. Ахундов, А.С. Тарасов, А.Ю. Демин, О.Е. Терещенко, А.С. Башкатов
DOI 10.34077/RCSP2023-67
стр.67
Кремниевые фотодиоды для регистрации излучения от ближнего инфракрасного до жёсткого рентгеновского диапазонов и электронов.
В.В. Забродский, П.Н. Аруев, А.В. Николаев, Е.В. Шерстнёв
DOI 10.34077/RCSP2023-68
стр.68
Электрически перестраиваемые метаструктуры миллиметрового диапазона на основе жидких кристаллов.
С.А. Кузнецов, В.И. Лапаник, С.Н. Тимофеев, В.С. Сутормин, В.Я. Зырянов, С.Б. Глыбовский, В.В. Суриков, Д.А. Овсов, А.Д. Саянский, К.В. Лемберг, Н.А. Николаев
DOI 10.34077/RCSP2023-69
стр.69
Фотомемристивные детекторы на основе низкоразмерных материалов для интеллектуальных систем распознавания образов.
Г.Н. Панин, О.О. Капитанова
DOI 10.34077/RCSP2023-70
стр.70
Гетероструктурные фотопреобразователи солнечного и лазерного излучения.
М.З. Шварц, В.М. Андреев, С.А. Левина, Н.А. Калюжный
DOI 10.34077/RCSP2023-71
стр.71
Диффузионная структура LiNbO3:Cu Z-среза для реализации оптических пинцетов.
А.А. Колмаков, Т.А. Журин, Э. Комов
DOI 10.34077/RCSP2023-72
стр.72
Резонансное поведение коллективного сечения экстинкции треугольного кластера малых частиц с электрическим дипольным рассеянием.
А.А. Сапегин, М.Ю. Барабаненков
DOI 10.34077/RCSP2023-73
стр.73
Современные экспериментальные и инженерные технологии для зондово-оптических измерений характеристик поверхности на наномасштабе.
Д.А. Козодаев, Е.В. Кузнецов, А.О. Погонышев, М.А. Трусов
DOI 10.34077/RCSP2023-74
стр.74
Микрополосковая линия для сверхширокополосной электрооптической стробоскопической измерительной системы.
А.В. Клеопин
DOI 10.34077/RCSP2023-75
стр.75
Атомарно-тонкие органо-неорганические наноструктуры AIIBVI с энантиомерными лигандами: от синтеза к хиральным 2D экситонам.
Д.А. Куртина, В.П. Графова, А.И. Лебедев, Р.Б. Васильев
DOI 10.34077/RCSP2023-76
стр.76
Светодиоды на структурах с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками, встроенными в фотонные кристаллы.
А.В. Новиков, В.Б. Шмагин, А.Н. Яблонский, М.В. Степихова, Д.В. Юрасов, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, Е.Е. Родякина, Ж.В. Смагина, П.А. Юнин, М.Н. Дроздов
DOI 10.34077/RCSP2023-77
стр.77
Методы оптимизации разрешения СВИК линейчатых ФПУ на основе КРТ.
В.В. Васильев, А.В. Вишняков, И.В.Сабинина, Г.Ю. Сидоров, В.А. Стучинский
DOI 10.34077/RCSP2023-78
стр.78
Выращивание слоёв VOх при эллипсометрическом in situ контроле и характеризация их оптических свойств.
В.А. Швец, И.А. Азаров, В.Ш. Алиев, С. Г. Бортников, Е.В. Спесивцев
DOI 10.34077/RCSP2023-79
стр.79
Оптико-электронные и мехатронные системы и приборы нового поколения.
С. М. Чурилов, П.А. Алдохин, Р. А. Гладков, А.А. Голицын, А.В. Голицын, И.И. Кремис, С.А. Кузнецов, И. В. Минин, А.Р.Новоселов, А.Г. Паулиш, Н.А. Сейфи, С.В. Хрящёв, К.П. Шатунов
DOI 10.34077/RCSP2023-80
стр.80
Стимулированное излучение в диапазоне 25 – 31 мкм в структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe при импульсной и непрерывной накачках.
С.В. Морозов
DOI 10.34077/RCSP2023-81
стр.81
Вертикально-излучающие лазеры телекоммуникационных диапазонов 1310 и 1550 нм на основе сверхрешеток: принципы создания, технология изготовления, характеристики.
А.Ю. Егоров
DOI 10.34077/RCSP2023-82
стр.82
Магнитоуправляемый спиновый светоизлучающий диод.
М.В. Дорохин, М.В. Ведь, П.Б. Дёмина, А.В. Здоровейщев, Д.А. Здоровейщев, Ю.А. Дудин, В.Е. Котомина, И.Л. Калентьева
DOI 10.34077/RCSP2023-83
стр.83
Оптимизация условий возбуждения Xe лазерной плазмы в источнике EUV излучения для нанолитографии с целью повышения его эффективности.
П.С. Буторин, С.Г. Калмыков, М.Э. Сасин
DOI 10.34077/RCSP2023-84
стр.84
Рост и характеризация nBn структур на основе СdxHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов.
Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.Г. Ремесник, И.Н. Ужаков, Р.В. Меньшиков, Г.Ю. Сидоров
DOI 10.34077/RCSP2023-85
стр.85
Сравнение методов расчета эффективных тепловых параметров микрорезонаторов.
В.И. Павлов, Н.М. Кондратьев, В.Е. Лобанов
DOI 10.34077/RCSP2023-86
стр.86
Фотокаталитические свойства нанокомпозитов ZnO-Cr2O3-CuO синтезированных полимерно- солевым методом.
А.А. Шелеманов, С.К. Евстропьев, К.А. Портнова
DOI 10.34077/RCSP2023-87
стр.87
Фотодетекторы и излучатели ИК и УФ диапазонов для актуальных газоаналитических задач в промышленности. Требования и характеристики.
М.А. Максютенко
DOI 10.34077/RCSP2023-88
стр.88
Особенности применения метода импульсной терагерцовой спектроскопии для изучения полупроводниковых материалов и метаструктур.
Н.А. Николаев, С.А. Кузнецов, О.Н. Шевченко, А.А. Рыбак, Ф.А. Минаков, Л.В. Максимов, В.Д. Анцыгин
DOI 10.34077/RCSP2023-89
стр.89
Разработка установки для экспериментального исследования методов измерения задержки распространения сигналов в оптическом волокне.
Б.Р. Алекперова
DOI 10.34077/RCSP2023-90
стр.90
Исследование влияния параметров гиперхроматического объектива на точностные характеристики оптоволоконной конфокальной системы для измерения профиля микроструктур.
Д.А. Коверзнев, М.А. Завьялова, П.С. Завьялов
DOI 10.34077/RCSP2023-91
стр.91
Безредукторные электромеханические приводы для позиционирования оптических элементов в тепловизионных каналах.
И.И. Кремис, Р.А. Гладков, А.В. Турбин
DOI 10.34077/RCSP2023-92
стр.92
Установка для измерения абсолютной и дифференциальной задержки распространения сигнала в оптическом волокне.
О.В. Колмогоров, В.М. Хайретдинова, Д.А. Любченко
DOI 10.34077/RCSP2023-93
стр.93
Детекторы и излучатели фотонов для систем квантовой связи и квантовых стандартов частоты.
В.В. Преображенский, И.Б. Чистохин, М.А. Путято, Е.А. Емельянов, М.О. Петрушков, А.С. Плешков, В.А. Гайслер, И.А. Деребезов, А.В. Гайслер, М.М. Качанова, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, И.Г. Неизвестный, И.И. Рябцев, А.В. Латышев
DOI 10.34077/RCSP2023-94
стр.94
Xe лазерная плазма как эффективный источник рабочего излучения для нанолитографии с длиной волны вблизи 11 нм.
С.Г. Калмыков, П.С. Буторин, М.Э. Сасин
DOI 10.34077/RCSP2023-95
стр.95
Явления резонансного взаимодействия в люминесцентном отклике низкоразмерных фотонных структур с наноостровками Ge(Si).
М.В. Степихова, А.В. Перетокин, В.А. Вербус, М.И. Петров, Д.В. Юрасов, Д.В. Шенгуров, Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, С.А. Дьяков, А.В. Новиков
DOI 10.34077/RCSP2023-96
стр.96
Локальный спектральный анализ полупроводниковых наноструктур для устройств фотоники.
А.Г. Милёхин, I.A. Milekhin, Н.Н. Курусь, Л.С. Басалаева, Р.Б. Васильев, К.В. Аникин, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлев, Е.А. Емельянов, В.В. Преображенский, А.В. Латышев, D.R.T. Zahn
DOI 10.34077/RCSP2023-97
стр.97
Магнитосопротивление двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле.
М.В. Якунин, В.Я. Алешкин, М.Р. Попов, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
DOI 10.34077/RCSP2023-98
стр.98
Усиление фотоотклика множественных квантовых ям GeSiSn/Si, совмещенных с плазмонными наноантеннами и двумерными фотонными кристаллами.
И.В. Скворцов, В.А. Тимофеев, В.И. Машанов, А.Е. Гайдук, А.А. Блошкин, В.В. Кириенко, Д.Е. Уткин, А.И. Никифоров, А.В. Коляда, Д.Д. Фирсов, О.С. Комков
DOI 10.34077/RCSP2023-99
стр.99
Транспорт электронов в p-GaAs фотокатоде: влияние «фотонного переноса».
Г.Э. Шайблер, В.В. Бакин, С.С. Михеев, С.А. Рожков, А.С. Терехов
DOI 10.34077/RCSP2023-100
стр.100
Легирование Zn слоев i-InAlAs(001) из планарного источника Zn3P2.
М.О. Петрушков, М.С. Аксенов, Д.Б. Богомолов, Д.Ю. Протасов, П.П. Камеш, М.А. Путято, И.Б. Чистохин, В.В. Преображенский
DOI 10.34077/RCSP2023-101
стр.101
Ростовые технологии оксида галлия: объемные кристаллы β-Ga2O3 и эпитаксиальные слои метастабильных α- и κ-фаз.
В.И. Николаев, П.Н. Бутенко, В.М. Крымов, С.В. Шапенков, А.А. Кицай, Ю.Г. Носов, Р.Б. Тимашов, А.И. Печников
DOI 10.34077/RCSP2023-102
стр.102
Оптимизация роста гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs с квантовой ямой InGaAs спектрального диапазона 940-980 нм.
С.Ю. Гаврилов, Н.В. Гультиков, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк
DOI 10.34077/RCSP2023-103
стр.103
Перестройка моноатомных и биатомных ступеней на поверхности при эпитаксиальном росте Si на Si(001).
В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.С. Соколов, К.А. Лозовой, А.П. Коханенко
DOI 10.34077/RCSP2023-104
стр.104
Атомарные процессы на поверхности epi-ready InP(001) в потоке мышьяка.
Д.В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, В.А. Голяшов, А.И. Торопов, К.С. Журавлев
DOI 10.34077/RCSP2023-105
стр.105
Исследование свойств границы раздела ALD HfO2–HgCdTe.
Е.Р. Закиров, Д.В. Горшков, Г.Ю. Сидоров, С.А. Пономарев
DOI 10.34077/RCSP2023-106
стр.106
Зарождение островков InAs на InP(001) при отжиге в потоке мышьяка.
Д.А. Колосовский, Д.В. Дмитриев, С.А. Пономарев, А.И. Торопов, К.С. Журавлев
DOI 10.34077/RCSP2023-107
стр.107
Электростатическая силовая микроскопия как способ детектирования наноструктур оксидов ванадия, формируемых методами сканирующей зондовой литографии.
А.И. Комонов, Н.Д. Манцуров, В.А. Селезнев, Б.В. Волошин, С.В. Мутилин
DOI 10.34077/RCSP2023-108
стр.108
Температурная зависимость длины димерного ряда при эпитаксиальном росте германия на кремнии.
К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко, А.Г. Коротаев
DOI 10.34077/RCSP2023-109
стр.109
Структурное разупорядочение и оптические свойства пленок HgCdTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией.
М.С. Ружевич, К.Д. Мынбаев, М.В. Дорогов, Н.Л. Баженов, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, И.Н. Ужаков, Д.В. Марин, С.А. Дворецкий, В.Г. Ремесник, М.В. Якушев
DOI 10.34077/RCSP2023-110
стр.110
Капельная эпитаксия нанокластеров GaN на подложках Si(111): Монте-Карло моделирование.
А.Г. Настовьяк, М.А. Литвиненко, Н.Л. Шварц
DOI 10.34077/RCSP2023-111
стр.111
Исследование выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3 и SiC слоев Al0.9Ga0.1N:Si с различным уровнем легирования методом фотолюминесцентной спектроскопии.
И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев
DOI 10.34077/RCSP2023-112
стр.112
Электрохимическое профилирование гетероструктур GaAs с n+-контактным слоем.
Д.Ю. Протасов, П.П. Камеш, А.А. Макеева, К.С. Журавлев
DOI 10.34077/RCSP2023-113
стр.113
Получение пленок VO2 на различных подложках в условиях гидротермального воздействия для оптических устройств терагерцового диапазона.
А.А. Самойлова, О.В. Бойцова
DOI 10.34077/RCSP2023-114
стр.114
Синтез тонкопленочных наноструктур перспективных для спин-орбитроники.
А.В. Телегин, М.E. Стеблий, А.С. Самардак, В.С. Теплов, Я.Я. Пыжьянов, В.Д. Бессонов
DOI 10.34077/RCSP2023-115
стр.115
Резонансные оптические свойства решёток из частиц Ge на Si.
Д.Е. Уткин, А.А. Шкляев, А.В. Царёв
DOI 10.34077/RCSP2023-116
стр.116
Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур Ge на Si для фотоприемников спектрального диапазона 1.3-1.55 мкм.
А.С. Дерябин, И.Д. Лошкарев, А.И. Никифоров, К.Э Певчих, Д.Н. Придачин, О.П. Пчеляков, В.В. Светиков, Л.В. Соколов, К.Б. Фрицлер, И.Б. Чистохин
DOI 10.34077/RCSP2023-117
стр.117
Фотолюминесценция в гетероструктуре с квантовыми ямами Ga(Sb,P)/GaP.
Т.С. Шамирзаев, М.А. Путято
DOI 10.34077/RCSP2023-118
стр.118
Микрорельеф поверхности как критерий качества буферных слоёв CdTe.
В.А. Швец, Д.В. Марин, Л.С. Кузнецова, И.А. Азаров, М.В. Якушев, С.В. Рыхлицкий
DOI 10.34077/RCSP2023-119
стр.119
Спиновая система NV-13C в магнитометрии.
А.Т. Салказанов, Н.С. Кукин, А.Р. Мурадова, А.П. Низовцев, П.А. Семенов, М.О. Смирнова, А.Л. Пушкарчук, А.Н. Васильев, А.С. Гусев, М.М. Калошин, Н.И. Каргин
DOI 10.34077/RCSP2023-120
стр.120
Моделирование оптических потерь в пористой пленке алюминия на подложке кремния с подслоем SiON.
А.В.Царев, О.В.Наумова, Ю.А. Живодков
DOI 10.34077/RCSP2023-121
стр.121
Модификация метода Герцбергера для выбора стекол широкоспектрального объектива- суперапохромата.
А.В. Голицын
DOI 10.34077/RCSP2023-122
стр.122
Исследования уровней паразитного фона ИК излучения на фотоприёмнике в криостате разными методами.
П.А. Алдохин, А.Р. Новоселов, С. В. Хрящёв, П.П. Добровольский, К.П. Шатунов
DOI 10.34077/RCSP2023-123
стр.123
Определение диэлектрических постоянных и толщин теплозащитных керамических покрытий методом эллипсометрии миллиметрового диапазона.
В.Н. Федоринин, С.А. Кузнецов, А.В. Гельфанд, А.Ю.Горшков
DOI 10.34077/RCSP2023-124
стр.124
Макет высокоточного лазерного фазового дальномера с применением оптической линии задержки и цифровой регистрации сигналов.
Д.А. Любченко, О.В. Колмогоров
DOI 10.34077/RCSP2023-125
стр.125
Расчетная оценка дальности действия активно-импульсной системы на базе ПЗС-фотоприемника.
А.А. Голицын, Н.А. Сейфи
DOI 10.34077/RCSP2023-126
стр.126
Плазмон-усиленная оптическая спектроскопия эпитаксиальных нанокристаллов GaAs.
Л.С. Басалаева, Е.А. Емельянов, В.В. Фёдоров, Л.Н. Дворецкая, В.В. Преображенский, А.Г. Милёхин
DOI 10.34077/RCSP2023-127
стр.127
Квантовые точки InAs/GaAs как элементы плёночных термоэлектрических преобразователей.
П.Б. Демина, О.В. Вихрова, М.В. Дорохин, Ю.А. Данилов, В.П. Лесников, Ю.М. Кузнецов, Н.В. Байдусь, С.Ю. Зубков, А.В. Здоровейщев, А.Е. Парафин
DOI 10.34077/RCSP2023-128
стр.128
Мультифрактальные флуктуации проводимости по геликоидальным краевым состояниям в двумерном топологическом изоляторе на основе HgTe.
Е.Б. Ольшанецкий, Г.М. Гусев, А.Д. Левин, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов
DOI 10.34077/RCSP2023-129
стр.129
Генерация квантового ключа в свободном пространстве с помощью передачи поляризованных одиночных фотонов.
А.В. Коляко, Д.Б. Третьяков, А.С. Плешков, И.И.Рябцев, И.Г. Неизвестный
DOI 10.34077/RCSP2023-130
стр.130
Сравнение способов монтажа мощных решеток лазерных диодов в корпусе на медный теплоотвод.
Д.С. Иванов, Н.В. Гультиков, А.И. Данилов, А.В. Подкопаев, С.М. Сапожников, М.А. Ладугин
DOI 10.34077/RCSP2023-131
стр.131
КМОП фотоматрица и телевизионный модуль формата 1280×1024 ячеек 5,3×5,3 мкм.
Д.В.Бородин, Ю.В. Осипов, А.А.Дементьев, Е.В.Чеботов
DOI 10.34077/RCSP2023-132
стр.132
Cпиновые светоизлучающие диоды InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt, модифицированные ионным облучением.
А.В. Здоровейщев, П.Б. Дёмина, М.В. Дорохин, Ю.А. Данилов, Ю.А. Дудин, И.Л. Калентьева
DOI 10.34077/RCSP2023-133
стр.133
Двухуровневая лазерная генерации в микродисковых лазерах с InAs/InGaAs квантовыми точками.
А.А. Караборчев, И.С. Махов, К.А. Иванов, М.В. Максимов, Н.В. Крыжановская, А.Е. Жуков
DOI 10.34077/RCSP2023-134
стр.134
Обзор: Искусство нано- и микрофотоэлектроники для конгруэнтности базовых элементов при создании мозаичных фотоприемников сверхвысокой размерности и микротепловизоров в широком спектральном диапазоне видеосигналов.
А.И. Козлов
DOI 10.34077/RCSP2023-135
стр.135
Разработка узкополосного пропускающего фильтра для импульсной терагерцовой спектроскопии.
А.А. Рыбак, С.А. Кузнецов, Н.А. Николаев
DOI 10.34077/RCSP2023-136
стр.136
Разработка перспективных БИС считывания с аналого-цифровым преобразованием фотосигнала.
Н.А. Ларионов, П.А. Кузнецов, Ю.А. Якимов, А.Н. Кузнецов
DOI 10.34077/RCSP2023-137
стр.137
Проектирование легких и ультратонких III-V/Ge солнечных элементов для гибких панелей для космических и наземных применений.
Н.А. Паханов, М.З.Шварц
DOI 10.34077/RCSP2023-138
стр.138
Особенности распространения потоков оптического излучения в световодных структурах.
В.К. Егоров, Е.В. Егоров
DOI 10.34077/RCSP2023-139
стр.139
Расчет энергетических барьеров диффузии атомов As и P в InP и InAs.
И.А. Александров, К.С. Журавлев
DOI 10.34077/RCSP2023-140
стр.140
Развитие методов спектральной фильтрации терагерцового излучения с использованием технологий частотно-избирательных поверхностей.
С.А. Кузнецов, А.В. Гельфанд, В.Н. Федоринин, А.В. Аржанников, П.А. Лазорский, Н.А. Николаев, А.А. Рыбак, А.Н. Генцелев, В.П. Бессмельцев
DOI 10.34077/RCSP2023-141
стр.141
Применение сеточных диодов с плавающим потенциалом в линейчатом КРТ-фотоприемнике для улучшения разрешения.
В.В. Васильев, А.В. Вишняков, Г.Ю. Сидоров, В.А. Стучинский
DOI 10.34077/RCSP2023-142
стр.142
Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера.
А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Г.Ю. Сидоров
DOI 10.34077/RCSP2023-143
стр.143
Эвристическая формула для оценки латеральной эффективной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда от линейного пятна засветки в фотоприемных КРТ-матрицах.
А.В. Вишняков, В.А. Стучинский, В.В. Васильев
DOI 10.34077/RCSP2023-144
стр.144
Частотно-контрастная характеристика и эффективная длина диффузии фотогенерированных носителей заряда в фотоприемных КРТ-матрицах с разными значениями геометрических параметров.
В.А. Стучинский, А.В. Вишняков, В.В. Васильев
DOI 10.34077/RCSP2023-145
стр.145
Энергетическая диаграмма Na2KSb и Na2KSb/Cs3Sb фотокатодов.
В.В. Бакин, С.А. Рожков, В.С. Русецкий, Д.А. Кустов, В.А. Голяшов, А.Ю. Демин, Г.Э. Шайблер, О.Е. Терещенко
DOI 10.34077/RCSP2023-146
стр.146
Тонкая структура энергетических распределений фотоэлектронов, эмитированных полупрозрачным p-GaAs(Cs,O) – фотокатодом.
В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, С.А. Рожков, А.С. Терехов
DOI 10.34077/RCSP2023-147
стр.147
Исследование зависимости плотности электронных состояний и оптических переходов в нанокристаллах кремния в зависимости от окружения.
А.В. Герт, А.В. Белолипецкий
DOI 10.34077/RCSP2023-148
стр.148
Расчет распределений по энергии электронов, эмитированных из p-GaAs(Cs,O), с учетом испускания оптических фононов и захвата в области изгиба зон.
Д.М. Казанцев, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович, В.А. Голяшов, О.Е. Терещенко
DOI 10.34077/RCSP2023-149
стр.149
Фотоэмиссия спин-поляризованных электронов из механически напряжённых Na2KSb/Cs3Sb фотокатодов.
Д.А. Кустов, В.С. Русецкий, В.А. Голяшов, А.Ю. Демин, С.А. Рожков, В.В. Бакин, Г.Э. Шайблер, О.Е. Терещенко
DOI 10.34077/RCSP2023-150
стр.150
Оптические свойства меза-структур на основе GaAs, обработанных водородной плазмой и пассивированных слоем Al2O3.
И.А. Мельниченко, Н.В. Крыжановская, А.М. Надточий, М.Г. Козодаев, Р.Р. Хакимов, А.А. Воробьев, А.М. Можаров, Ю.А. Гусева, А.Е. Жуков
DOI 10.34077/RCSP2023-151
стр.151
Энергетические распределения горячих электронов из Na2KSb/Cs3Sb фотокатода.
С.А. Рожков, В.В. Бакин, В.С. Русецкий, Д.А. Кустов, В.А. Голяшов, А.Ю. Демин, Г.Э. Шайблер, О.Е. Терещенко
DOI 10.34077/RCSP2023-152
стр.152
Гигантский микроволновой фотокондактанс кремниевого транзистора: моделирование и эксперимент.
О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, А.С. Ярошевич, З.Д. Квон, В.А. Антонов, В.П. Попов
DOI 10.34077/RCSP2023-153
стр.153
Особенности СВЧ-фотокондактанса квантового точечного контакта в гетерострутурах GaAs/AlGaAs.
А.С. Ярошевич, Н.С.Кузьмин, З.Д. Квон, В.А. Ткаченко, А.К. Бакаров, E.E. Родякина, А.В.Латышев
DOI 10.34077/RCSP2023-154
стр.154
О возможности существенного влияния фотовозбужденного объемного заряда (ФОЗ) на величину и направление фототока продольного фоторезистора (ПФР).
В.А. Холоднов
DOI 10.34077/RCSP2023-155
стр.155
Влияние избыточного цезия на эмиссионные свойства поверхности p-GaAs(Cs,O).
В.С. Хорошилов, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович
DOI 10.34077/RCSP2023-156
стр.156