Дата рождения: |
17.08.1992 |
Вуз (дата окончания): |
НГТУ (2012) |
Год поступления в аспирантуру: |
2016 |
Форма обучения: |
очная |
Направление подготовки: |
03.06.01 - "Физика и астрономия" |
Специальность: |
01.04.10 - "Физика полупроводников" |
Тема диссертации: |
Предполагаемая: «Спин-зависимая фотоэмиссия из гетероструктур A3B5 с отрицательным электронным сродством» |
Научный руководитель: |
д.ф.-м.н., профессор Терещенко Олег Евгеньевич к.ф.-м.н., доцент Шварц Наталия Львовна |
Лаборатория: |
Лаб. №37, Гр.2 |
E-mail: |
vasilenkonsk1992gmail.com |
Название | Первая страница |
М. А. Василенко, А. Г. Настовьяк, И. Г.Неизвестный, Н. Л. Шварц, Изучение процесса формирование наноструктур А3В5 методом капельной эпитаксии (Монте-Карло моделирование), Автометрия, 2016, Т. 52, №5, с. 111-121. |
|
Suprunets A.G., Vasilenko M.A., Shwartz N.L. Self-catalyzed GaAs and InAs nanowires growth (Monte Carlo simulation), Journal of Physics: Conference Series, 2016, V. 690, p. 012011. |
|
M. A. Vasilenko, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz. Formation of GaAs nanostructures by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation. Comput. Mater. Sci., 2015, V. 102, pp. 286-292. |
|
Название | Обложка | Первая страница |
Maxim A. Vasilenko, Nataliya L. Shwartz. Monte Carlo Simulation of GaAs Nanorings Formation by Droplet Epitaxy. 17th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM 2016: Conference Proceedings, 2016, June 30–Yuly 4, 2016, ISBN 978-1-5090-0785-1, р.3-7 |
|
|
N. Shwartz, M. Vasilenko, M. Nesterenko, I. Neizvestny. Analysis of GaAs nanostructure formation according to vapor-liquid-solid mechanism. Proceedings of International Conference Nanomeeting - 2015. “Physics, Chemistry and Application of Nanostructures” Minsk, Belerus, 26–29 May, 2015, p.334-337. Published by World Scientific Publishing Co.Pte.Ltd. 5 Toh Tuck Link, Singapore 596227, ISBN 978-981-4696-51-7. |
|
|
Н. Л. Шварц, М. А. Василенко, А. Г. Супрунец. Монте-Карло моделирование роста полупроводниковых наноструктур. Материалы Всероссийской научной конференции с международным участием. II Байкальский материаловедческий форум 29 июня-5 июля 2015 г. Улан-Удэ. Ч.2.—Улан-Удэ. Издательство Бурятского научного центра СО РАН, 2015.- 226 с. ISBN 978-5-7925-0469-1., c. 155-157. |
|
|
A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz. Surface morphology transformation during droplet epitaxy growth - Monte Carlo simulation. Proceedings of the 23th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” St. Petersburg, Russia, June 22–26, 2015, p. 204-205. Published by St. Petersburg Academic University, ISBN 978-5- 7422-4876-7. |
|
|
M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz. Analysis of GaAs surface etching during droplet epitaxy process (Monte Carlo Simulation). Proceedings of 16th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2015, Erlagol, Altai, 29 June- 3 July, 2015, p.16-19. |
|
|
A.G. Suprunets, M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz. Investigation of Self-Catalyzed GaAs NW Growth by Monte Carlo Simulation.. Proceedings of 15th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2014, Erlagol, Altai, 30 June- 4 July, 2014, p.14-18. |
|
|
A.G. Suprunets, M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz. Monte Carlo simulation of GaAs nanostructure growth by droplet epitaxy. Proceedings of 14th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2013, Erlagol, Altai, July 1 - July 5, 2013, p.46-48. |
|
|
Название | Обложка тезисов | Обложка программы | Время выступления | Первая страница |
M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz, Simulation of GaAs nanostructure growth by droplet epitaxy, 14-ая международная научная конференция-школа «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение», Саранск, 29 сентября - 2 октября 2015, устный доклад |
|
|
|
|
М.А. Василенко, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц, Условия формирования нанокристаллов и наноколец GaAs методом капельной эпитаксии (Монте-Карло моделирование), Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) Фотоника 2015, Новосибирск, 12-16 октября 2015 г., стендовый доклад |
|
|
|
|
M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz, Analysis of GaAs surface etching during droplet epitaxy process (Monte Carlo Simulation), 16th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2015, Erlagol, Altai, 29 June- 3 July, 2015, устный доклад |
|
|
|
|
М.А. Василенко, А.Г. Супрунец, Н.Л. Шварц, Монте-Карло моделирование самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов GaAs, 15 всероссийская конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники, Санкт-Петербург, 25-29 ноября 2013 г., устный доклад |
|
|
|
|
A.G. Suprunets, M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz, Monte Carlo simulation of GaAs nanostructure growth by droplet epitaxy, 14th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2013, Erlagol, Altai, July 1 - July 5, 2013, устный доклад |
|
|
|
|