Кафедра физики полупроводников физического факультета НГУ


Заведующий кафедрой: академик РАН, д.ф.-м.н., профессор Латышев Александр Васильевич

Секретарь кафедры: к.ф.-м.н. Родякина Екатерина Евгеньевна

Направление подготовки: 510104 физика полупроводников, микроэлектроника.

Базовый институт: ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

Кафедра физики полупроводников Новосибирского государственного университета (НГУ) основана академиком Анатолием Васильевичем Ржановым, который и возглавлял ее более 20 лет.

С момента образования кафедра готовит высококвалифицированных исследователей в области физики и техники полупроводников, создания и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур, а также эпитаксиального роста тонких пленок., т.е. по всем основным направлениям научных исследований Института физики полупроводников СО РАН - базового для подготовки специалистов на кафедре физики полупроводников.

Система подготовки специалистов - двухуровневая : первая ступень - основное базовое четырехлетнее образование завершается защитой квалификационной работы бакалавра, вторая - двухгодичная магистратура, с защитой магистерской диссертации.

Выпускники кафедры подготовлены для работы в области физики и техники полупроводников, физики структур пониженной размерности, процессов микро- и нанотехнологии, физико-химии и технологии поверхности и межфазных границ, микро- и наноэлектроники. Выпускники кафедры могут работать также преподавателями дисциплин физико-математического профиля в школах, колледжах и вузах России. Лучшие выпускники магистратуры проходят обучение в аспирантуре.

Научно-исследовательская работа студентов проводится в базовом институте кафедры - Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Подготовка специалистов на кафедре реализуется известными российскими научными школами, получившими мировое признание, а также в рамках учебно-научного центра "Технология и физика полупроводниковых наноструктур", созданного и функционирующего в рамках федеральной целевой программы "Интеграция".

Высокий уровень подготовки специалистов на кафедре физики полупроводников обеспечивается оптимальным выбором постоянно обновляемых спецкурсов, правильным сочетанием экспериментальных и теоретических методов с широким использованием компьютерной техники, наличием высококвалифицированного профессорско- преподавательского состава, современного научного и технологического оборудования, учебной литературы.

Программа обучения на кафедре предусматривает получение студентами базовых знаний по физике, технике и материаловедению полупроводников, а также необходимых умений и навыков практической работы в области современных высоких технологий. Особое внимание при этом уделяется способам создания и изучения электронных , оптических и структурных свойств полупроводниковых микро- и нанообъектов, физико-химии и атомной инженерии поверхности и границ раздела, исследованию элементарных процессов эпитаксиального роста полупроводниковых слоев.

Студенты, специализирующиеся на кафедре, имеют возможность работать на высококлассном современном экспериментальном оборудовании ведущих мировых производителей, а также на уникальных физических и технологических комплексах собственного изготовления, которыми располагает ИФП СО РАН: установки для молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников (Si, Ge), полупроводниковых соединений III-V (GaAs, InAs, AlAs), полупроводниковых соединений II-VI (CdTe, HgTe) типа "Катунь"; установки для молекулярно-лучевой эпитаксии соединений III-V типа MBE-1000, MBE-32, CBE-32 фирмы Riber; просвечивающий электронный микроскоп с атомным разрешением (JEOL), сканирующий туннельный микроскоп (Riber), сверхвысоковакуумные комплексы для исследования поверхности твердых тел методами электронной и рентгеновской спектроскопии типа SSC и Nanoscan (Riber), ESCALAB (VG); установки электронной литографии (Ziess); спектрофотометры и спектроэллипсометры (Jobin-Yvon) ИК фурье-спектрометры (Bruker); свехвысоковакуумный отражательный электронный микроскоп; установка для получения сверхнизких температур (Cambrige Instruments). Кафедра имеет научные связи с другими родственными кафедрами вузов России, а также исследовательскими лабораториями в области физики полупроводников и микроэлектроники . Среди них кафедры физики полупроводников Томского и Омского государственных университетов, Новосибирского государственного технического университета, ФТИ РАН им. А.Ф.Иоффе (г. Санкт-Петербург), Физического института РАН (г. Москва).

За время существования кафедры на ней специализировались и защитили дипломные работы более 400 студентов, из них более 100 защитили кандидатские, а 16 - докторские диссертации (5 докторов наук - выпускников кафедры, ведут преподавательскую деятельность на кафедре). Среди выпускников кафедры - лауреаты Государственных премий СССР и РФ, премий правительства РФ в области образования.

Страница Кафедры на сайте НГУ