Патенты ЦКП "Наноструктуры":

  • Ситников С.В., Косолобов С.С., Латышев А.В. Способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного эталона и ступенчатый высотный калибровочный эталон // Заявка на патент РФ № 2017104978 (15.02.2017)
  • Родякина Е.Е., Щеглов Д.В., Косолобов С.С., Латышев А.В. Способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии. //Патент РФ № RU 2540000 (опубликован 27.01.2015) Бюл. №3, 36 стр.
  • Галкин Н.Г., Горошко Д. Л., Чусовитин Е.А., Гутаковский А.К. Способ создания светоизлучающего элемента. // Патент на изобретение, № 2488918, 26.07.2013.
  • Галкин Н.Г., Горошко Д. Л., Чусовитин Е.А., Шамирзаев Т.С., Гутаковский А.К. Способ создания светоизлучающего элемента. // Патент на изобретение, № 2488917, 26.07.2013.
  • Галкин Н.Г., Горошко Д. Л., Чусовитин Е.А., Шамирзаев Т.С., Гутаковский А.К. Способ создания светоизлучающего элемента. // Патент на изобретение, № 2488920, 26.07.2013.
  • Ситников С.В., Косолобов С.С., Латышев А.В. Способ формирования плоских гладких поверхностей твердотельных материалов. // Патент РФ № RU 2453874 (опубликован 20.06.2012) Бюл. №17, 33 стр.
  • Романов С.И., Вандышева Н.В., Семенова О.И., Косолобов С.С. Способ получения кремниевой канальной матрицы. // Патент РФ № RU2433502 (опубликован 10.11.2011) Бюл. №31, 16 стр.
  • Романов С.И., Вандышева Н.В., Данилюк А.Ф., Семенова О.И., Косолобов С.С. Способ получения канальной матрицы. // Патент РФ № RU2428763 (опубликован 10.09.2011) Бюл. №25, 15 стр. 
  • Вандышева Н.В., Косолобов С.С., Романов С.И. Способ получения кремниевой микроканальной матрицы. // Патент РФ № RU2410792, (опубликован 27.01.2011) Бюл. №3, 16 стр.
  • Щеглов Д.В., Косолобов С.С., Родякина Е.Е., Латышев А.В.. Способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии. // патент РФ № RU2407101 (опубликован 20.12.2010) бюл. №35, 49 стр.
  • Настаушев Ю.В., Наумова О.В., Девятова С.Ф., Попов В.П. Способ изготовления наносенсора. // Патент РФ № RU2359359 (опубликован 20.06.2009) бюл. №17, 9 стр.
  • Щеглов Д.В., Косолобов С.С., Родякина Е.Е., Латышев А.В. Способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии. // Патент РФ № RU2371674 (опубликован 2009.10.27) бюл.№30, 28 стр.
  • Щеглов Д.В., Латышев А.В. Способ анализа трения с использованием атомно-силовой микроскопии и устройство для его осуществления. // Патент РФ № RU2364855 (опубликован 20.08.2009) бюл. №23, 23 стр. 
  • Горохов Е.Б., Володин В.А., Астанкова К.Н., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Асеев А.Л. Способ создания пленок германия. // Патент РФ № RU2336593 (опубликован 20.10.2008) бюл. №29, 14 стр.
  • Настаушев Ю.В., Наумова О.В., Дульцев Ф.Н. Способ создания диэлектрического слоя. // Патент РФ № RU2274926 (опубликован 20.04.2006) бюл. №11, 9 стр.
  • Щеглов Д.В., Латышев А. В., Асеев А.Л. Способ создания окисных пленок. // Патент РФ № RU2268952 (опубликован 27.01.2006) бюл. №03, 14 стр.
  • Латышев А.В., А.Б.Красильников, В.А.Вырыпаев и Асеев А.Л., Горохов Е.Б., Стенин С.Авторское свидетельство №1772702, Электронный микроскоп для исследования процессов молекулярно-лучевой эпитаксии, 26 января 1990.

Публикации научных результатов,

полученных с использованием оборудования ЦКП "Наноструктуры":

2016 2015  2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

  • D. A. Kolotovkina, A. K. Gutakovskii, and A. K. Bakarov, Structure and morphology of InSb epitaxial films in the AlAs matrix, Nanotechnologies in Russia, 2016, 11(1), p. 12-19, DOI 10.1134/S1995078016010079
  • A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, A.R. Tuktamyshev, A.I. Yakimov, V.I. Mashanov, A.K. Gutakovskii. Self-assembled strained GeSiSn nanoscale structures grown by MBE on Si(100). Journal of Crystal Growth 457 (2017) 215–219, http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.02.024.
  • A.G. Milekhin, L.L. Sveshnikova, T.A. Duda, N.A. Yeryukov, E.E. Rodyakina, A.K. Gutakovskii, S.A. Batsanov, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn. Surface-enhanced Raman spectroscopy of semiconductor nanostructures. Physica E, 2016, v.75, pp. 210–222. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2015.09.013.
  • Y. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskii & L. V. Sokolov. Experimental observation of the dislocation walls in heterostructures with two interfaces: Ge/Ge 0.5 Si 0.5 10 nm/Si(001) as an example. PhilosoPhical Magazine letters, 2016,Vol. 96, no. 9, pp. 361–366. http://dx.doi.org/10.1080/09500839.2016.1225997.
  • Y.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Unexpected travel of Lomer-type dislocations in Ge/Ge x Si 1-x /Si(001) heterostructures. Thin Solid Films, 2016, v.616, pp. 348 – 350. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2016.08.058.
  • D V Gulyaev, K S Zhuravlev, A K Bakarov, A I Toropov, D Yu Protasov, A K Gutakovskii, B Ya Ber and D Yu Kazantsev. Influence of the additional p + doped layers on the properties of AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures for high power SHF transistors. Journal of Physics D: Applied Physics. 2016, 49, 095108, 9pp. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/49/9/095108.
  • N. V. Kosova, I. A. Bobrikov, O. A. Podgornova, A. M. Balagurov & A. K. Gutakovskii. Peculiarities of structure, morphology, and electrochemistry of the doped 5-V spinel cathode materials LiNi 0.5- xMn 1.5- yMx + yO 4 (M=Co, Cr, Ti; x + y =0.05) prepared by mechanochemical way. J Solid State Electrochem, 2016, v. 20, pp.235 – 246. DOI 10.1007/s10008-015-3015-4.
  • D A Kolotovkina, A K Gutakovskii. Structural and morphological features of ultrathin epitaxial InSb films in AlAs matrix. Journal of Physics: Conference Series 769 (2016) 012030 doi:10.1088/1742-6596/769/1/012030.
  • I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, V.L. Alperovich, N.S. Rudaya, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, Formation and interaction of dislocation-induced and vicinal monatomic steps on a GaAs(001) surface under stress relaxation Scripta Materialia 114 (2016) 125-128.
  • V.V. Atuchin, V.A.Golyashov, K.A.Kokh, I.V.Korolkov, A.S.Kozhukhov, V.N. Kruchinin, I.D.Loshkarev, L.D.Pokrovsky, I.P.Prosvirin, K.N.Romanyuk,O.E. Tereshchenko Crystal growth of Bi2Te3 and noble cleaved (0001) surface properties, Journal of Solid State Chemistry 236, 203-208 (2015).
  • V. V. Atuchin, D. A. Vinnik, T. A. Gavrilova,? S. A. Gudkova, L. I. Isaenko, Xingxing Jiang, L. D. Pokrovsky, I. P. Prosvirin, L. S. Mashkovtseva, and Zheshuai Lin Flux Crystal Growth and the Electronic Structure of BaFe12O19 Hexaferrite J. Phys. Chem. C 2016, 120, 5114?5123.
  • V.V. Atuchin, S.V. Borisov, T.A. Gavrilova, K.A. Kokhf, N.V. Kuratieva, N.V. Pervukhina Physical vapor transport growth and morphology of Bi2Se3 microcrystals Particuology 26 (2016) 118–122.
  • A. A. Bykov, I. S. Strygin, A. V. Goran, E. E. Rodyakina, W. Mayer, S. A. Vitkalov, Zero differential resistance of a two-dimensional electron gas in a one-dimensional periodic potential at high filling factors JETP LETTERS (2016) Том: 104 Выпуск: 4 Стр.: 257-262
  • S. V. Sitnikov, A. V. Latyshev, S. S. Kosolobov, Atomic steps on an ultraflat Si(111) surface upon sublimation. Semiconductors (2016) Volume 50, Issue 5, pp 596–600.


2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008
  • Anton Kozhukhov, Anatoliy Klimenko, Dmitriy Shcheglov, Vladimir Volodin, Natalya Karnaeva, and Alexander Latyshev, Highly conductive indium nanowires deposited on silicon by dip-pen nanolithography, Journal of Applied Physics 117, 145305 (2015).
  • M.S. Aksenov, A.Yu. Kokhanovskii, P.A. Polovodov, S.F. Devyatova, V.A. Goljashov, A.S. Kozhuhov, I.P. Prosvirin, S.E. Khandarkhaeva, A.K. Gutakovskii, N.A. Valisheva, and O.E. Tereshchenko, New method of InAs-based metal-oxide-semiconductor structure formation in low-energy Townsend discharge, Applied Physics Letters, 107, 173501 (2015).
  • A.A. Shklyaev, V.I. Vdovin, V.A. Volodin, D.V. Gulyaev, A.S. Kozhukhov, M. Sakuraba, J. Murota, Structure and optical properties of Si and SiGe layers grown on SiO2 by chemical vapor deposition, Thin Solid Films 579 (2015) 131–135.
  • V.V. Atuchin, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, I.V. Korolkov, A.S. Kozhukhov, V.N. Kruchinin, I.D. Loshkarev, L.D. Pokrovsky, I.P. Prosvirin, K.N. Romanyuk, O.E. Tereshchenko, Crystal growth of Bi2Te3 and noble cleaved (0001) surface properties, J. Solid State Chem. (2015).
  • Л.С. Голобокова, Ю.В. Настаушев, Ф.Н. Дульцев, Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев, А.С. Кожухов, А.В. Латышев, Оптические и электрофизические свойства кремниевых нанопилларов, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, вып. 7.
  • L.S. Golobokova, Yu.V. Nastaushev, F.N. Dultsev, N.V. Kryzhanovskay, E.I. Moiseev, A.S. Kozhukhov, and A.V. Latyshev, Optical and Electrical Properties of Silicon Nanopillars, Semiconductors, 2015, Vol. 49, No. 7, pp. 939–943.
  • Т.В. Малин, А.М. Гилинский, В.Г. Мансуров, Д.Ю. Протасов, А.С. Кожухов, Е.Б. Якимов, К.С. Журавлев, Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах AlxGa1?xN (x = 0?0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, вып. 10.
  • В.А. Гайслер, А.В. Гайслер, А.С. Ярошевич, И.А. Деребезов, М.М. Качанова, Ю.А. Живодков, Т.А. Гаврилова, А.С. Медведев, Л.А. Ненашева, К.В. Грачев, В.К. Сандырев, А.С. Кожухов, В.М. Шаяхметов, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев, Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов, Физика и техника полупроводников 2015, Т. 49, вып. 1, С. 35–40.
  • Кочубей В.А., Атучин В.В., Покровский Л.Д., Солдатенков И.С., Троицкая И.Б., Кожухов А.С., Кручинин В.Н., Структура, микрорельеф и оптические свойства пленок железа, полученных методом термического испарения в вакууме, Фундаментальные проблемы современного материаловедения, 2015, том 12, №3.
  • Troitskii D.Y., Pokrovsky L.D., Kozhukhov A.S., Mogilnikov K.P., Semenova O.I., Troitskaia I.B, Synthesis of thin films TiO2 for photovoltaics, Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys Russia-China international workshop, 15-20 September 2015, book of the International workshop articles, p 174.
  • Л.С Голобокова, Ю.В. Настаушев, Ф.Н. Дульцев, Н.В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А.С. Кожухов , А.В. Латышев, Оптические и электрофизические свойства кремниевых нанопилларов, Физика и техника полупроводников,т.49, в.7, стр.961-965 (2015).
  • L.S. Golobokova, Yu.V. Nastaushev, A.B. Talochkin, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, A.V. Latyshev, Resonant reflectance in silicon nanorods arrays, Solid State Phenomena, V.245, pp.8-13 (2016).
  • D.E. Utkin, А.А. Shklyev, A.V. Tsarev. «Formation of periodic structure with photonic band gap by scanning electron lithography». Принята к печати в журнале Physics Procedia 2015.
  • S. Sitnikov, S. Kosolobov, A. Latyshev, Attachment–detachment limited kinetics on ultra-flat Si(111) surfaceunder etching with molecular oxygen at elevated temperatures, Surface Science 633 (2015) L1–L5
  • Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. Роль краевых дислокаций в пластической релаксации гетероструктур GeSi/Si(001): зависимость механизмов введения от толщины пленки. Физика твердого тела, 2015, том 57, вып. 4, с. 746-752. Yu. B. Bolkhovityanov, A. K. Gutakovskii, A. S. Deryabin, and L. V. Sokolov. Role of Edge Dislocations in Plastic Relaxation of GeSi/Si(001) Heterostructures: Dependence of Introduction Mechanisms on Film Thickness. ISSN 1063-7834, Physics of the Solid State, 2015, Vol. 57, No. 4, pp. 765–770, (0.82 Impact Factor).
  • Т.С. Шамирзаев, Н.Г. Галкин, Е.А. Чусовитин, Д.Л. Горошко, А.В. Шевлягин, А.К. Гутаковский, А.А. Саранин, А.В. Латышев. Светодиодные 1.5-мкм электролюминесцентные излучатели на основе структур p+Si/НК ?-FeSi2 /n-Si. Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, вып. 4, с. 519-523. T. S. Shamirzaev,,N. G. Galkin, E. A. Chusovitin, D. L. Goroshko, A. V. Shevlyagin, A. K. Gutakovski, A. A. Saranin, A. V. Latyshev. Electroluminescent 1.5-?m light-emitting diodes based on p +-Si/NC ?-FeSi2/n-Si structures. Semiconductors 04/2015; 49(4):508-512. DOI:10.1134/S1063782615040211, (0.74 Impact Factor).
  • Ж.В. Смагина, А.В. Двуреченский, В.А. Селезнев, П.А. Кучинская, В.А. Армбристер, В.А. Зиновьев, Н.П. Степина, А.Ф. Зиновьева, А.В. Ненашев, А.К. Гутаковский. Линейные цепочки квантовых точек Ge/Si при росте на структурированной поверхности, сформированной ионным облучением. Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, вып. 6, с. 767-771. Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, V. A. Seleznev, P. A. Kuchinskaya, V. A. Armbrister, V. A. Zinovyev, N. P. Stepina, A. F. Zinovieva, A. V. Nenashev, A. K. Gutakovskii. Linear chains of Ge/Si quantum dots grown on a prepatterned surface formed by ion irradiation. Semiconductors 06, 2015; 49(6):749-752. DOI:10.1134/S1063782615060238 • (0.74 Impact Factor).
  • V.P. Popov; A.K. Gutakovskii; V.A. Antonov; S.N. Podlesnyi; I.N. Kupriyanov; Yu.N. Palyanov; S.V. Rubanov. High-quality single-crystal diamond-graphite-diamond membranes and devices. Int. J. of Nanotechnology, 2015 Vol.12, No.3/4, pp.226 – 237. DOI: 10.1504/IJNT.2015.067208, (0.62 Impact Factor).
  • E Sheremet, A Milekhin, R D Rodriguez, D Dmitriev, A Toropov, A Gutakovskii, D Dentel, W Grunewald, M Hietschold and D R T Zahn. Raman, AFM, and TEM pro?ling of QD multilayer structures. Mater. Res. Express, v.2, No3, (2015) 035003. http://dx.doi.org/10.1088/2053-1591/2/3/035003, (2.299 Impact Factor).
  • Olga A. Guselnikova, Andrey I. Galanov, Anton K. Gutakovskii, and Pavel S. Postnikov. The convenient preparation of stable aryl-coated zerovalent iron nanoparticles. Beilstein J. Nanotechnol. 2015, 6, 1192–1198. http://dx.doi.org/10.3762%2Fbjnano.6.121 (2.67 Impact Factor)
  • Alexandra G. Pershina, Irina V. Saltykova, Vladimir V. Ivanov, Ekaterina A. Perina1, Alexander M. Demin, Oleg B. Shevelev, Irina I. Buzueva, Anton K. Gutakovskii, Sergey V. Vtorushin, Ilya N. Ganebnykh, Victor P. Krasnov, Alexey E. Sazonov and Ludmila M. Ogorodova. Hemozoin “knobs” in Opisthorchis felineus infected liver. Parasites & Vectors (2015), 8:459, DOI 10.1186/s13071-015-1061-5 (импакт фактор 3,43)
  • A.V. Shevlyagin, D.L. Goroshko, E.A. Chusovitin, K.N. Galkin, N.G. Galkin & A.K. Gutakovskii. Enhancement of the Si p-n diode NIR photoresponse by embedding ?-FeSi2 nanocrystallites. Scientific Reports 10/2015; 5:14795. DOI:10.1038/srep14795 (5.58 Impact Factor).
  • N.V. Kosova, I. A. Bobrikov, O. A. Podgornova, A. M. Balagurov, A. K. Gutakovskii. Peculiarities of structure, morphology, and electrochemistry of the doped 5-V spinel cathode materials LiNi0.5-x Mn1.5-y M x+y O4 (M = Co, Cr, Ti; x+y = 0.05) prepared by mechanochemical way. Journal of Solid State Electrochemistry, 09, 2015; DOI:10.1007/s10008-015-3015-4 • (2.45 Impact Factor).
  • Tereshchenko, O.E.,Golyashov, V.A.,Eremeev, S.V.,(...),Bukhtiyarov, V.I.,Latyshev, A.V. Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs interface for spin-polarimetry applications. Applied Physics Letters, 107, 123506 (2015) (3.302 Impact Factor).
  • A.G. Milekhin, L.L. Sveshnikova, T.A. Duda, N.A. Yeryukov , E.E. Rodyakina, A.K. Gutakovskii, S.A. Batsanov, A.V. Latyshev, D.R.T. Zahn. Surface-enhanced Raman spectroscopy of semiconductor nanostructures. Physica E 75 (2016) 210–222, http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2015.09.013.
  • A. Shklyaev, L. Bolotov, V. Poborchii, T. Tada, “Properties of three-dimensional structures prepared by Ge dewetting from Si(111) at high temperatures”, Journal of Applied Physics, Volume 117 (2015) 205303.
  • A.A. Shklyaev, K.E. Ponomarev, Strain-induced Ge segregation on Si at high temperatures, Journal of Crystal Growth, Volume 413, 1 March 2015, Pages 94-99.
  • A.A. Shklyaev, V. I. Vdovin, V. A. Volodin, D. V. Gulyaev, A. S. Kozhukhov, M. Sakuraba, and J. Murota, “Structure and optical properties of Si and SiGe layers grown on SiO2 by CVD”, Thin Solid Films, Volume 579, 2015, Pages 131-135.
  • A.A. Shklyaev, A. E., Budazhapova, “Ge deposition on Si(100) in the conditions close to dynamic equilibrium between islands growth and their decay" has been accepted for publication in Applied Surface Science.
  • A.A. Shevyrin, A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, E. E. Rodyakina, A. A. Shklyaev, “Actuation and transduction of resonant vibrations in GaAs/AlGaAs-based nanoelectromechanical systems containing two-dimensional electron gas”, Applied Physics Letters, Volume 106 (2015) 183110.
  • В.А. Зиновьев, А. В. Двуреченский, П. А. Кучинская, В. А. Армбристер, С. А. Тийс, А. А. Шкляев, А. В. Мудрый, Зарождение и рост упорядоченных групп квантовых точек SiGe, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, вып. 2, стр. 155-159.
  • A.E. Budazhapova, A. A. Shklyaev, “Mechanisms of surface morphology formation during Ge growth on Si(100) at high temperatures”, In Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 16th International Conference of Young Specialists on IEEE, 2015, Pages 12-15.
  • A.A. Shklyaev, “Strain-induced dewetting of germanium layers on silicon”, International conference NANOMEETING-2015, Proceedings in Physics, chemistry and applications of nanostructures, World Scientific, 2015, Pages 406-409.
  • A.A. Shklyaev, “GeSi layers prepared on Si at high temperatures”, ASCO-NANOMAT 2015, Proceedings in Third Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Vladivostok, Dalnauka, 2015, Pages 59-62.
  • V.V. Atuchin, A.S. Aleksandrovsky, O.D Chimitova , T.A. Gavrilova, A.S. Krylov , M.S Molokeev, A.SOreshonkov, B.GBazarov, J.G Bazarova. “Synthesis, structural and spectroscopic properties of a-Eu 2(MoO 4) 3 faceted microcrystals “,В сборнике: Effect of external influences on the strength and plasticity of metals and alloys. Book of the International seminar articles. Edition in Chief: Professor Sc. D., Starostenkov M.D.. 2015. С. 165.
  • Kalyuzhny N.A., Atuchin V.V., Andreeva O.P., Gavrilova T.A., Korolkov I.V., Maximovskiy E.A. Low-temperature synthesis of mesoporous microcrystals CaMoO4. В сборнике: Химические технологии функциональных материалов. материалы Международной Российско-казахстанской школы-конференции студентов и молодых ученых. Новосибирский государственный технический университет Казахский национальный университет имени аль-Фараби Сибирское отделение Российской Академии наук. 2015. С. 220-223.
  • Калюжный Н.А., Атучин В.В., Андреева О.П., Гаврилова Т.А., Корольков И.В., Максимовский Е.А. “Низкотемпературный синтез мезоструктурированных микрокристаллов CaMoO4”, В сборнике: Химические технологии функциональных материалов. материалы Международной Российско-казахстанской школы-конференции студентов и молодых ученых. Новосибирский государственный технический университет Казахский национальный университет имени аль-Фараби Сибирское отделение Российской Академии наук. 2015. С. 94-96.
  • Atuchin V.V., Khyzhun O.Y., Chimitova O.D., Bazarov B.G., Bazarova J.G., Molokeev M.S., Gavrilova T.A. “Electronic structure of ?-RbNd(MoO4)2 by XPS and XES”Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2015. Т. 77. С. 101-108.
  • Troitskaia I.B., Gavrilova T.A., Zubareva A.P., Troitskii D.Yu., Gromilov S.A. “Thermal transformations of the composition and structure of hexagonal molybdenum oxide”,Journal of Structural Chemistry. 2015. Т. 56. № 2. С. 289-296.
  • Троицкая И.Б., Гаврилова Т.А., Зубарева А.П., Троицкий Д.Ю., Громилов С.А. “Термические превращения состава и структуры гексагонального оксида молибдена” Журнал структурной химии. 2015. Т. 56. № 2. С. 304-311.
  • Гайслер В.А., Гайслер А.В., Ярошевич А.С., Деребезов И.А., Качанова М.М., Живодков Ю.А., Гаврилова Т.А., Медведев А.С., Ненашева Л.А., Грачев К.В., Сандырев В.К., Кожухов А.С., Шаяхметов В.М., Калагин А.К., Бакаров А.К., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Асеев А.Л. и др.”Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных inas-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов” Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 1. С. 35-40.
  • Gaisler V.A., Gaisler A.V., Jaroshevich A.S., Derebezov I.A., Kachanova M.M., Zhivodkov Y.A., Gavrilova T.A., Medvedev A.S., Nenasheva L.A., Grachev K.V., Sandyrev V.K., Kozhuhov A.S., Shayahmetov V.M., Kalagin A.K., Bakarov A.K., Dmitriev D.V., Toropov A.I., Shcheglov D.V., Latyshev A.V., Aseev A.L. et al. “Efficient single-photon emitters based on bragg microcavities containing selectively positioned inas quantum dots”,Semiconductors. 2015. Т. 49. № 1. С. 33-38.
  • Chimitova O.D., Bazarov B.G., Bazarova J.G., Atuchin V.V., Aleksandrovsky A.S., Gavrilova T.A., Kesler V.G., Molokeev M.S., Krylov A.S.” Electronic structure of betta-RbSm(MoO4)2 and chemical bonding in molybdates”, Dalton Transactions: An International Journal of Inorganic Chemistry. 2015. Т. 44. № 4. С. 1805-1815.
  • Atuchin V.V., Aleksandrovsky A.S., Chimitova O.D., Bazarov B.G., Bazarova J.G., Diao C.-P., Gavrilova T.A., Kesler V.G., Molokeev M.S., Krylov A.S., Lin Z. “Electronic structure of ?-RbSm(MoO4)2 and chemical bonding in molybdates” Dalton Transactions: An International Journal of Inorganic Chemistry. 2015. Т. 44. № 4. С. 1805-1815
  • Калюжный Н.А., Атучин В.В., Андреева О.П., Гаврилова Т.А., Корольков И.В., Максимовский Е.А. Низкотемпературный синтез мезоструктурированных микрокристаллов CaMoO 4 и SrMoO 4 Технические науки - от теории к практике. 2015. № 45. С. 107-112.
  • O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, I. S.Terekhov, O. P. Sushkov, Effects of Coulomb screening and disorder on artificial graphene based on nanopatterned semiconductor. 2D Materials 2, 014010 (2015).
  • O.А.Ткаченко, B.А.Ткаченко, З.Д.Квон, Фотонно-стимулированное прохождение электрона через туннельный точечный контакт в микроволновом поле. Письма в ЖЭТФ, 102, 417-422 (2015).
  • N.A. Nebogatikova, I.V. Antonova, V. Ya. Prinz, I. I. Kurkina, V. I. Vdovin, G. N. Aleksandrov, V. B. Timofeev, S. A. Smagulova, E. R. Zakirova and V. G. Keslera. Fluorinated graphene dielectric films obtained from functionalized graphene suspension: preparation and properties. Phys. Chem. Chem. Phys., 2015, 17, 13257-13266.
  • V.A. Volodin, M.P. Gambaryan, A.G. Cherkov, V.I. Vdovin, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat. Infrated Photoluminescence from GeSi Nanocrystals Embedded in a Germanium-Silicate Matrix. ЖЭТФ, 2015, т. 148, вып. 6(12), 1225-1231.
  • D.V. Danilov, O.F. Vyvenko, N.A. Sobolev, V.I. Vdovin, A.S. Loshachenko, E.I. Shek, P.N. Aruev, V.V. Zabrodskiy. Electrical Characterization and Defect-related Luminescence in Oxygen Implanted Silicon. Solid State Phenomena, 2016, 242, 368-373

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

  • A. A. Shklyaev, O. A. Shegai, Y. Nakamura, and M. Ichikawa. "Impact ionization of excitons in Ge/Si structures with Ge quantum dots grown on the oxidized Si(100) surfaces." Journal of Applied Physics 115.20 (2014): 203702.
  • A. A. Shklyaev, K. N. Romanyuk, and S. S. Kosolobov. "Surface morphology of Ge layers epitaxially grown on bare and oxidized Si(001) and Si(111) substrates." Surface Science 625 (2014): 50-56.
  • A. B. Talochkin, A. A. Shklyaev, and V. I. Mashanov. "Super-dense array of Ge quantum dots grown on Si(100) by low-temperature molecular beam epitaxy." Journal of Applied Physics 115.14 (2014): 144306.
  • K. E. Ponomarev and A. A. Shklyaev. "Surface morphology formation of Ge layers on Si(111) under high-temperature annealing." Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 15th International Conference of Young Specialists on. IEEE, 2014. Pages 10-13.
  • A. Tsarev, A. Shklyaev, "Highly Directive and Broadband Radiation from Photonic Crystals with Partially Disordered Cavities Arrays", Journal of Lightwave Technology, 32.24 (2014): 4277-4281.
  • В.А. Зиновьев, А.В. Двуреченский, П.А. Кучинская, В.А. Армбристер, С.А. Тийс, А.А. Шкляев, А.В. Мудрый, Зарождение и рост упорядоченных групп квантовых точек SiGe, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, вып. 2, стр. 155-159.
  • Ткаченко О. А., Ткаченко В. А. Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабых магнитных полях// Письма в ЖЭТФ. 2014. Т.99. С.231–236.
  • D. S. Abramkin, V. T. Shamirzaev, M. A. Putyato, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev. Coexistence of type-I and type-II band alignment in Ga(Sb,P)/GaP heterostructures with pseudomorphic self-assembled quantum dots. Pis’ma v ZhETF, (2014),vol. 99, iss. 2, pp. 81 – 86.
  • Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. Особенности пластической релаксации метастабильного слоя GexSi1?x, захороненного между подложкой Si и релаксированным слоем Ge. Физика твердого тела, 2014, том 56, вып. 2, с.247-253
  • Е.А. Емельянов, Д.Ф. Феклин, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, А.К. Гутаковский, В.А. Селезнев, А.П. Василенко, Д.С. Абрамкин, О.П. Пчеляков, В.В. Преображенский, N. Zhicuan, N. Haiqiao. Гетероэпитаксия плёнок AIIIBV на вицинальных подложках Si(001). Автометрия, 2014, т. 50, № 3, сс. 13–24.
  • Л.И. Федина, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев. Атомная структура протяжённых дефектов в имплантированных бором слоях кремния. Автометрия, 2014, т. 50, № 3, сс. 34–40.
  • А.К. Гутаковский, Л.Л. Свешникова, С.А. Бацанов, Н.А. Ерюков. Электронно-микроскопические исследования нанокристаллов CuS, сформированных в плёнках Ленгмюра — Блоджетт. Автометрия, 2014, т. 50, № 3, сс. 108–114.
  • N A Valisheva, M S Aksenov, V A Golyashov, T A Levtsova, A P Kovchavtsev, A K Gutakovskii, S E Khandarkhaeva, A V Kalinkin, I P Prosvirin, V I Bukhtiyarov, O E Tereshchenko. Oxide-free InAs(111)A interface in metal-oxide-semiconductor structure with very low density of states prepared by anodic oxidation. Applied Physics Letters 10/2014; 105:16160.
  • Nikolay A. Yeryukov, Alexander G. Milekhin, Larisa L. Sveshnikova, Tatyana A. Duda, Lev D. Pokrovsky, Anton K. Gutakovskii, Stepan A. Batsanov, Ekaterina E. Rodyakina, Alexander V. Latyshev, and Dietrich R.T. Zahn, Synthesis and Characterization of CuxS (x = 1?2) Nanocrystals Formed by the Langmuir?Blodgett Technique, The Journal of Physical Chemistry, C, 2014, 118, 23409?23414.
  • S.A. Dotsenko, A.S. Gouralnik, N.G. Galkin, K.N. Galkin, A.K. Gutakovskii, M.A. Neklyudova. Formation of Mg silicides on amorphous Si. Origin and role of high pressure in the ?lm growth. Materials Chemistry and Physics. (2014),148, 1078-1082.
  • Nina V. Kosova, Evgeniya T. Devyatkina, Arseny B. Slobodyuk, Anton K. Gutakovskii. LiVPO4F/Li3V2(PO4)3 nanostructured composite cathode materials prepared via mechanochemical way. Journal of Solid State Electrochemistry, (2014) 18:1389 – 1399.
  • Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, E.V. Fedosenko, G.A. Pozdnyakova, F.N. Dultsev. Diamond-Like Carbon Films Formed by Means of Pulsed Supersonic Plasma Flow Deposition.Solid State Phenomena Vol. 213 (2014) pp 137-142 (2014).
  • Д. И. Рогило, Л. И. Федина, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, Формирование двумерных островков на поверхности Si(111) при гомоэпитаксиальном росте // Вестник Новосибирского государственного университета. Серия: Физика, т. 9, стр. 156-166 (2014)
  • L.S. Golobokova, Yu.V. Nastaushev, F.N. Dultsev, D.V. Gulyaev, A.B. Talochkin, A.V. Latyshev. Fabrication and optical properties of silicon nanopillars. 1st International Conference and School "Saint-Petersburg OPEN 2014". March 25-27, 2014, Saint Petersburg, Russia. IOP Journal of Physics: Conference Series Vol.541 (2014) 012074.
  • K.A. Kokh, V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, A. Kozhukhov, E.A. Maximovskiy, L.D. Pokrovsky, A.R. Tsygankova, A.I. Saprykin, Defects in GaSe grown by Bridgeman method, Journal of Microscopy 256 (3) (2014) 208-212.
  • A.I. Zaitsev, A.S. Aleksandrovsky, A.S. Kozhukhov, L.D. Pokrovsky, V.V. Atuchin, Growth, optical and microstructural properties of PbB4O7 plate crystals, Optical Materials 37 (2014) 298-301.
  • E.N. Galashov, V.V. Atuchin, A.S. Kozhukhov, L.D. Pokrovsky, V.N. Shlegel, Growth of CdWO4 crystals by the low thermal gradient Czochralski technique and the properties of a (010) cleaved surface, Journal of Crystal Growth 401 (2014) 156-159.
  • Кочубей В.А., Атучин В.В., Покровский Л.Д., Солдатенков И.С., Троицкая И.Б., Кожухов А.С., Кручинин В.Н., Структура, микрорельеф и оптические свойства пленок кобальта, полученных методом термического испарения в вакууме, Фундаментальные проблемы современного материаловедения 11 №2 (2014) 153-158.
  • N.A. Sobolev, P.N. Aruev, A.E. Kalyadin, E.I. Shek, V.V. Zabrodskiy, A.S. Loshachenko, K.F. Shtel`makh, V.I. Vdovin, A. Medvids, Luelue Xiang, Deren Yang. Fabrication of light-emitting diodes with dislocation-related luminescence by annealing of electron-irradiated silicon. // Solid State Phenomena Vols. 205-206, 2014, p. 305-310.
  • E. Sheremet, R.D. Rodriguez, A.G. Milekhin, L. Leal, V. Kolchuzhin, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, and D.R.T. Zahn, SERS and gap-mode TERS investigations of phthalocyanine molecules on gold nanostructured substrates, the Journal of Vacuum Science & Technology B, 32(4), 04E110-1-6 (2014), DOI: 10.1116/1.4890126
  • N.A. Yeryukov, A.G. Milekhin, L.L. Sveshnikova, T.A. Duda, L.D. Pokrovsky, A.K. Gutakovsky, S.A. Batsanov, E.E. Rodyakina, A.V Latyshev, and D.R.T. Zahn, Synthesis and Characterization of CuxS (x = 1–2) Nanocrystals Formed by the Langmuir–Blodgett Technique, The Journal of Physical Chemistry C, 118 (40), 23409–23414 (2014), DOI: 10.1021/jp507355t
  • O.E. Raevskaya, Ya.V. Panasiuk, O.L. Stroyuk, S.Ya. Kuchmiy, V.M. Dzhagan, A.G. Milekhin, N.A. Yeryukov, L.A. Sveshnikova, E.E. Rodyakina, V.F. Plyusnin, D.R.T. Zahn, Spectral and luminescent properties of ZnO/SiO2 nanoparticles with size-selected ZnO cores.// RSC Adv., 2014,4, 63393-63401, DOI: 10.1039/C4RA07959K
  • Н.С. Филиппов, Н.В. Вандышева, М.А. Паращенко, С.С. Косолобов, О.И. Семенова, Р.О. Анарбаев, Д.В. Пышный, И.А. Пышная, С.И. Романов. Электрофоретическое осаждение коллоидных наночастиц CdS на аморфную кремниевую мембрану. ФТП 48,7, 2014, 995.
  • Володин В.А., Синюков М.П., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Федосенко Е.В. Комбинационное рассеяние света в пленках PbTe и PbSnTe: фазовые трансформации in situ в процессе измерений. Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 2. С. 185-189.
  • K. A. Malsagova, Yu. D. Ivanov, T. O. Pleshakova, A. F. Kozlov, N. V. Krohin, A. L. Kaysheva, I. D. Shumov, V. P. Popov, O. V. Naumova, B. I. Fomin, D. A. Nasimov. SOI-nanowire biosensor for detection of D-NFATc1 protein. Biochemistry (Moscow) Supplement Series B: Biomedical Chemistry. 2014, Volume 8, Issue 3, pp 220-225.
  • K.A. Kokh, V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, N.V. Kuratieva, N.V. Pervukhina, N.V. Surovtsev, Microstructural and vibrational properties of PVT-grown Sb2Te3 crystals Solid State Communications 177 (2014) 16-19.
  • T.A. Gavrilova, N.V. Ivannikova, V.N. Shlegel, V.D. Grigorieva, S.F. Solodovnikov, T.B. Bekker, V.V. Atuchin, Growth of Na2W2O7 single crystals as possible optical host material Solid State Phenomena 213 (2014) 160-164
  • T.A. Gavrilova, O.P. Andreeva, V.V. Atuchin, I.V. Korolkov, I.S. Soldatenkov, Synthesis and micromorphology transformation of monoclinic a-Gd2(MoO4)3 Solid State Phenomena 213 (2014) 165-169
  • V.V. Atuchin, A.S. Aleksandrovsky, O.D. Chimitova, T.A. Gavrilova, A.S. Krylov, M.S. Molokeev, A.S. Oreshonkov, B.G. Bazarov, J.G. Bazarova, Synthesis and spectroscopic properties of monoclinic a-Eu2(MoO4)3 Journal of Physical Chemistry C 118 (28) (2014) 15404-1541
  • K.A. Kokh, V.V. Atuchin, T.A. Gavrilova, A. Kozhukhov, E.A. Maximovskiy, L.D. PokrovskyP, A.R. Tsygankova, A.I. Saprykin, Defects in GaSe grown by Bridgeman method Journal of Microscopy 256 (3) (2014)
  • Гайслер В.А., Гайслер А.В., Ярошевич А.С., Деребезов И.А., Качанова М.М., Живодков Ю.А., Гаврилова Т.А., Медведев А.С., Ненашева Л.А., Грачев К.В., Сандырев В.К., Кожухов А.С., Шаяхметов В.М., Калагин А.К., Бакаров А.К., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Асеев А.Л. Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов. ФТП, 2015, том 49, выпуск 1, с. 35.

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

  • E.V. Dmitrienko, R.D. Bulushev, K. Haupt, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev, I.A. Pyshnaya, D.V. Pyshnyi. A simple approach to prepare molecularly imprinted polymers from nylon-6. Journal of Molecular Recognition V. 26 (8) p. 368–375, August 2013. doi:10.1002/jmr.2281
  • Tatyana I. Baturina, David Kalok, Ante Bilusic, Valerii M. Vinokur, Mikhail R. Baklanov Anton K. Gutakovskii, Alexander V. Latyshev, and Christoph Strunk. Dual threshold diode based on the superconductor-to-insulator transition in ultrathin TiN films. Appl. Phys. Lett. 102, 042601 (2013) (5p). doi:10.1063/1.4789510
  • Alexander G. Milekhin, Nikolay A. Yeryukov, Larisa L. Sveshnikova, Tatyana A. Duda, Ekaterina E. Rodyakina, Evgeniya S. Sheremet, Michael Ludemann, Ovidiu D. Gordan, Alexander V. Latyshev, Dietrich R.T. Zahn “Surface enhanced Raman scattering by organic and inorganic semiconductors formed on laterally ordered arrays of Au nanoclusters” Thin Solid Films V.543, 2013, P. 35–40. doi:10.1016/j.tsf.2013.03.070
  • Rogilo D.I., Fedina L.I., Kosolobov S., Ranguelov Bogdan Stavrev, Latyshev A.V. Critical terrace width for two-dimensional nucleation during Si growth on an Si(111)-(7x7) surface. Phys. Rev. Lett. 111, 036105 (2013) [4 pages]. doi:10.1103/PhysRevLett.111.036105
  • R. Cordoba, T. I. Baturina, J. Sese, A. Yu Mironov, J. M. De Teresa, M. R. Ibarra, D. A. Nasimov, A. K. Gutakovskii, A. V. Latyshev, I. Guillamon, H. Suderow, S. Vieira, M. R. Baklanov, J. J. Palacios, V. M. Vinokur. Magnetic field-induced dissipation-free state in superconducting nanostructures. Nature Communications, 2013; 4: 1437. doi:10.1038/ncomms2437
  • I.O. Akhundov, Alperovich V.L., Latyshev A.V., Terekhov A.S. Kinetics of atomic smoothing GaAs(001) surface in equilibrium conditions. Applied Surface Science, V. 269, 2013, P. 2-6. doi:10.1016/j.apsusc.2012.09.150
  • A.A. Shklyaev, D.V. Gulyaev, K.S. Zhuravlev, A.V. Latyshev, V.A. Armbrister and A.V. Dvurechenskii. Resonant photoluminescence of Si layers grown on SiO2. Optics Communications 2013, V. 286, P. 228–232. doi:10.1016/j.optcom.2012.09.027
  • A.V. Gaisler, A.S. Yaroshevich, I.A. Derebezov, A.K. Kalagin, A.K. Bakarov, A.I. Toropov, D.V. Shcheglov, V.A. Gaisler, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Fine structure of the exciton states in InAs quantum dots. JETP Letters, 2013, Vol. 97, No. 5, pp. 274–278. doi:10.1134/S0021364013050056
  • Щеглов Д.В., Косолобов С.С., Федина Л.И., Родякина Е.Е., Гутаковский А.К., Ситников С.В., Кожухов А.С., Загарских С.А., Копытов В.В., Евграфов В.И., Шувалов Г.В., Матвейчук В.Ф., Латышев А.В. Высокоточные меры линейных размеров в нанодиапазоне. Российские нанотехнологии Т.8 № 7-8 (2013) 84-94. doi:10.1134/S1995078013040162
  • A.A. Shklyaev, A.S. Kozhukhov, V.A. Armbrister, D.V. Gulyaev. Surface morphology of Si layers grown on SiO2. Applied Surface Science 267 (2013) 40–44. doi:10.1016/j.apsusc.2012.05.069
  • O.V. Naumova, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, L.V. Sokolov, A.L.Aseev. Properties of Si nanowhiskers coated with TiOx and TiONx layers. Nanoscience and Nanotechnology, 2013, v.3, №1, p.14-18. doi:10.5923/j.nn.20130301.03
  • A.S. Gouralnik, S.A. Dotsenko, N.G. Galkin, V.A. Ivanov, V.S. Plotnikov, E.V. Pustovalov, A.I. Cherednichenko, A.K. Gutakovskii, M.A. Neklyudova. Formation of iron and iron silicides on silicon and iron surfaces. Role of the deposition rate and volumetric effects. Appl. Phys A (2013),112:507–515. doi:10.1007/s00339-012-7440-2
  • Кочубей В.А., Атучин В.В., Покровский Л.Д., Солдатенков И.С., Троицкая И.Б., Кожухов А.С., Кручинин В.Н., Структура, микрорельеф и оптические свойства пленок хрома, полученных методом сублимации в вакууме, Письма о материалах 3 (4) (2013).
  • А.Г. Милехин, Л.Л. Свешникова, Т.А. Дуда, Н.А. Ерюков, Н.В. Суровцев, С.В. Адищев, Е.Е. Родякина, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев, Гигантское комбинационное рассеяние света полупроводниковыми наноструктурами, Автометрия, 49(54), 100-111 (2013).
  • З.Д. Квон, Г.М. Гусев, А.Д. Левин, Д.А. Козлов, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, Микроволновый отклик баллистической квантовой точки, Письма в ЖЭТФ, том 98, вып.11, с.806–810. doi:0.7868/S0370274X13230148
  • K. N. Romanyuk, A. A. Shklyaev, and B. Z. Olshanetsky. "Structure and stability of Ge cluster on Si (111) surface in the presence of Bi surfactant." Surf. Sci., 2013, V. 617, P. 68-72. doi:10.1016/j.susc.2013.07.020
  • A. A. Shklyaev, K. N. Romanyuk, A. V. Latyshev, Epitaxial Ge growth on Si(111) covered with ultrathin SiO2 films, Journal of Surface Engineered Materials and Advanced Technology, 2013, V. 3, P. 195-204. doi:10.4236/jsemat.2013.33027
  • Н. П. Степина, А. Ф. Зиновьева, А. С. Дерябин, В. А. Зиновьев, В. А. Володин, А. А. Шкляев, А. В. Двуреченский, С. В. Гапоненко, Формирование и структурные свойства квантовых точек кремния в германии, Автометрия, 2013, Т. 49, № 5, С. 18-24.
  • Ludmila I. Fedina, Se Ahn Song, Andrey L. Chuvilin, Anton K. Gutakovskii, and Alexander V. Latyshev. The Mechanism of Si (113) Defect Formation in Silicon: Clustering of Interstitial–Vacancy Pairs Studied by In Situ High-Resolution Electron Microscope Irradiation. Microsc. Microanal. (2013)19, S5, 38–42. doi:10.1017/S1431927613012294
  • Nina V. Kosova, Evgeniya T. Devyatkina, Arseny B. Slobodyuk, Anton K. Gutakovskii. LiVPO4F/Li3V2(PO4)3 nanostructured composite cathode materials prepared via mechanochemical way. Journal of Solid State Electrochemistry, August 2013. doi:10.1007/s10008-013-2213-1
  • Alexander G. Milekhin, Nikolay A. Yeryukov, Larisa L. Sveshnikova, Tatyana A. Duda, Dmitry Yu. Protasov, Anton K. Gutakovskii, Stepan A. Batsanov, Nikolay V. Surovtsev, Sergey V. Adichtche, Cameliu Himcinschi, Volodymir Dzhagan, V. Lashkaryov, Francisc Haidu, Dietrich R. T. Zahn. CdZnS quantum dots formed by the Langmuir-Blodgett technique. J. Vac. Sci. Technol. B 31(4), Jul/Aug 2013. doi:10.1116/1.4810782
  • Evgeny V. Alekseev, Olivier Felbinger, Shijun Wu,Thomas Malcherek, Wulf Depmeier, Giuseppe Modolo, Thorsten M. Gesing, Sergey V. Krivovichev, V. Suleimanov, Tatiana A. Gavrilova, Lev D. Pokrovsky, Alexey M. Pugachev, Nikolay V. Surovtsev, Victor V. Atuchin. K[AsW2O9], the first member of the arsenate–tungsten bronze family: Synthesis, structure, spectroscopic and non-linear optical properties. Journal of Solid State Chemistry 204 (2013) 59–63. doi:10.1016/j.jssc.2013.04.038
  • Y.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Mechanism of induced nucleation of misfit dislocations in the Ge-on-Si(001) system and its role in the formation of the core structure of edge misfit dislocations. Acta Materialia 61 (2013) 617-621. doi:10.1016/j.actamat.2012.09.082
  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K.Gutakovskii, L.V. Sokolov, A.P. Vasilenko. Dislocation interaction of layers in the Ge/Ge-seed/GexSi1-x/Si(001) (x0.3-0.5) system: Trapping of misfit dislocations on the Ge-seed/GeSi interface. Acta Materialia, Volume 61, Issue 2, January 2013, Pages 617-621. doi:10.1016/j.actamat.2013.05.028
  • В.А. Кочубей, В.В. Атучин, А.С. Кожухов, В.Н. Кручинин, Л.Д. Покровский. Структура, микрорельеф и оптические свойства пленок титана, полученных методом термического испарения в вакууме. Фундаментальные проблемы современного материаловедения, 10 (2) (2013) 194-199.

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

  • N.G. Galkin, E.A. Chusovitin, D.L. Goroshko, A.V. Shevlyagin, A.A. Saranin, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, and A.V. Latyshev. Room temperature 1.5 mu m light-emitting silicon diode with embedded beta-FeSi2 nanocrystallites. Appl. Phys. Lett. 101, 163501 (2012). doi:10.1063/1.4758485
  • Alexander G. Milekhin, Nikolay A. Yeryukov, Larisa L. Sveshnikova, Tatyana A. Duda, Sergey S. Kosolobov, Alexander V. Latyshev, Nikolay V. Surovtsev, Sergey V. Adichtchev, Cameliu Himcinschi, Eduard I. Zenkevich, Wen-Bin Jian, and Dietrich R. T. Zahn. Raman Scattering for Probing Semiconductor Nanocrystal Arrays with a Low Areal Density. J. Phys. Chem. C 2012, 116, 17164-17168. doi:10.1021/jp210720v
  • N.B. Morozova, N.V. Gelfond, P.P. Semyannikov, S.V. Trubin, I.K. Igumenov, A.K. Gutakovskii, A.V. Latyshev. Preparation of thin films of platinum group metals by pulsed MOCVD. II. Deposition of Ru layers. Journal of Structural Chemistry. Vol. 53, No. 4, pp. 725-733, 2012. doi:10.1134/S0022476612040154
  • N.V. Gelfond, N.B. Morozova, P.P. Semyannikov, S.V. Trubin, I.K. Igumenov, A.K. Gutakovskii, A.V. Latyshev. Preparation of thin films of platinum group metals by pulsed MOCVD. I. Deposition of Ir layers. Journal of Structural Chemistry. Vol. 53, No. 4, pp. 715-724, 2012. doi:10.1134/S0022476612040142
  • A.S. Fedorov, A.A. Kuzubov, T.A. Kozhevnikova, N.S. Eliseeva, N.G. Galkin, S.G. Ovchinnikov, A.A. Saranin, A.V. Latyshev,Features of the Structure and Properties of b -FeSi2 Nanofilms and a ?-FeSi2/Si Interface JETP Letters, 2012, Vol. 95, No. 1, pp. 20–24. doi:10.1134/S0021364012010055
  • Терещенко О.Е., Паулиш А.Г., Неклюдова М.А., Шамирзаев Т.С., Ярошевич А.С., Просвирин И.П., Жаксылыкова И.Э., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Варнаков С.Н., Рауцкий М.В., Волков Н.В., Овчинников С.Г., Латышев А.В., Волков Н.В. Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов. ПЖТФ, 2012, том 38, выпуск 1 с.27-36. (Technical Physics Letters V. 38 (1) P. 12-16). doi:10.1134/S1063785012010154
  • V.A. Volodin, T.T. Korchagina, A.K. Gutakovsky, L.I. Fedina, M.A. Neklyudova, A.V. Latyshev, J. Jedrzejewski, I. Balberg, J. Koch, and B.N. Chichkov, Phys. Express 2, 5 (2012). cognizure.com/physics.aspx?p=106637253
  • V.A. Volodin, K.O. Bugaev, A.K. Gutakovsky, L.I. Fedina, M.A. Neklyudova, A.V. Latyshev, A. Misiuk. Evolution of silicon nanoclusters and hydrogen in SiN x :H films: Influence of high hydrostatic pressure under annealing. Thin Solid Films 520 (2012) 6207–6214. doi:10.1016/j.tsf.2012.05.019
  • D. Kalok, A. Bilusic, T.I. Baturina, A.Yu. Mironov, S.V. Postolova, A.K. Gutakovskii, A.V. Latyshev, V.M. Vinokur and C. Strunk. Non-linear conduction in the critical region of the superconductor-insulator transition in TiN thin films.2012 J. Phys.: Conf. Ser. 400 p. 022042. doi:10.1088/1742-6596/400/2/022042
  • В.М. Сонин, А.А. Чепуров, Д.В. Щеглов, С.С. Косолобов, А.М. Логвинова, А.И. Чепуров, А.В. Латышев, Н. В. Соболев. Исследование поверхности природных алмазов методом атомно-силовой микроскопии, ДАН, (2012), т. 447, № 4, с. 1–3 (Doklady Earth Sciences V. 447 (2) P. 1314-1316). doi:10.1134/S1028334X12120069
  • A.A. Shklyaev, A.V. Latyshev and M. Ichikawa. Excitation dependence of photoluminescence in the 1.5-1.6 µm wavelength region from grown dislocation-rich Si layers. Physics Procedia 2012, V. 32, P. 117-126. doi:10.1016/j.phpro.2012.03.528
  • Д.В. Щеглов, С.С. Косолобов, А.В. Латышев, С.А. Загарских, В.В. Копытов, В.И. Евграфов, Г.В. Шувалов, В.Ф. Матвейчук, К.В. Тукмачев, Разработка и аттестация комплекта мер СТЕПП-ИФП-1 для обеспечения единства измерений в нанометровом диапазоне, Датчики и системы, 6 (2012), 21-23.

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

  • S.S. Kosolobov and A.V. Latyshev, Step bunching on silicon surface under electromigration in Nanophenomena at Surfaces. Springer Series in Surface Sciences, 2011, Volume 47, 239-258. doi:
  • Милехин А.Г., Ерюков Н.А., Свешникова Л.Л., Дуда Т.А., Зенькевич Э.И., Косолобов С.С., Латышев А.В., Himcinschi C., Суровцев Н.В., Адишев С.В., Zhe Chuan Feng, Chia Cheng Wu, Dong Sing Wuu, Zahn D.R.T. Гигантское комбинационное рассеяние света наноструктурами ZnO. ЖЭТФ, Том 140, Вып. 6, стр. 1125 (2011).
  • А.А. Шкляев, К.Н. Романюк, А.В. Латышев, А.В. Аржанников. Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на оксидированной поверхности Si(111). Письма в ЖЭТФ 2011, Т.94, Вып.6, С.477-480.
  • Dmitry I. Rogilo, Lyudmila I. Fedina, Sergey S. Kosolobov, Alexander V. Latyshev, Bogdan S. Ranguelov Pyramid-like Si structures grown on the step bunched Si(111)-(7x7) surface, IEEE Xplore Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 2011 International Conference and Seminar of Young Specialists on , p.91-95.
  • V.A. Volodin, A.S. Kachko, A.G. Cherkov, A.V.Latyshev, J. Koch, B.N. Chichkov. Femtosecond pulse crystallization of thin amorphous hydrogenated films on glass substrates using near ultraviolet laser radiation. JETP Letters Volume 93, Issue 10 , pp 603-606, 2011.
  • Виноградова О.А., Щеглов Д.В., Латышев А.В., Пышный Д.В. Изучение структурной организации конкатемерных комплексов на основе нативных и модифицированных дцднк-блоков, Вестник Новосибирского государственного университета. Серия: Биология, клиническая медицина. 2011. Т. 9. № 2. С. 109-117.
  • O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechensky, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Ge/Si heterostructures with coherent Ge quantum dots in silicon for applications in nanoelectronics Semiconductor Science And Technology (2011) V. 26 Is.: 1 014027.
  • T.I. Baturina, V.M. Vinokur, A.Yu. Mironov, N.M. Chtchelkatchev, D.A. Nasimov and A.V. Latyshev Nanopattern-stimulated superconductor-insulator transition in thin TiN films. EPL 93 4 (2011) 47002.
  • Nikolay G. Galkin, Evgeniy A. Chusovitin, Timur S. Shamirsaev, Anton K. Gutakovski, Alexander V. Latyshev. Growth, structure and luminescence properties of multilayer Si/?-FeSi 2 NCs/Si/…/Si nanoheterostructures. Thin Solid Films, 519 (2011), 8480–8484.
  • И.В. Сабинина, А.К. Гутаковский, Ю.Г.Сидоров, А.В.Латышев. Самопроизвольная модуляция состава при молекулярно-лучевой эпитаксии Cd x Hg 1-x Te(301). Письма в ЖЭТФ, т.94, вып.4, с. 348-352 (2011).
  • Дмитриенко Е.В., Булушев Р.Д., Ломзов А.А., Косолобов С.С., Латышев А.В., Пышная И.А., Пышный Д.В. «Наноструктурированные полимерные матрицы для селективного распознавания биомолекул». Вестник НГУ Серия Биология, клиническая медицина, (2011) т.9, вып. 2, с.100.
  • Е.Е. Родякина, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Дрейф адатомов кремния в условиях электромиграции. Письма в ЖЭТФ 94/2, 2011, с.151-156.
  • A.A. Shklyaev, F.N. Dultsev, K.P. Mogilnikov, A.V. Latyshev and M. Ichikawa. Electroluminescence of dislocation-rich Si layers grown using oxidized Si surfaces. J. Phys. D: Appl. Phys. 2011, V.44, P.025402.
  • К.Н. Романюк, А.А. Шкляев, Б.З. Ольшанецкий, А.В. Латышев. Формирование кластеров германия на поверхности Si(111)-Bi-v3 ? v 3. Письма в ЖЭТФ 2011, Т.93, Вып.11, С.740-745.

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

  • A.Yu. Mironov, T.I. Baturina, V.M. Vinokur, S.V. Postolova, P.N. Kropotin, M.R. Baklanov, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev. Disorder and vortex matching effects in nanoperforated ultrathin TiN films. Physica C: Superconductivity, V. 470 p.S808-S809, 2010.
  • O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, N.V. Dudchenko, S.F. Devyatova, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov, A.I. Archakov, SOI nanowires as sensors for charge detection Semicond. Sci. Technol. 25 (2010) 055004 (7pp).
  • Ткаченко O.А., Ткаченко В.А., Portal J.-C., Квон З.Д., Латышев А.В., Асеев А.Л. Моделирование полупроводниковых квантовых наноустройств. (отправлено для публикации в /Под редакцией: В.А. Садовничего, Г.И. Савина, Вл.В. Воеводина. М: Издательство Московского университета, (2010).
  • Д.В. Марин, В.А. Володин, Е.Б.Горохов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, М. Vergnat, J. Koch, B.N. Chichkov. Модификация нанокластеров Ge в пленках GeOx при изохронных печных и импульсных отжигах. ПЖТФ, 2010, том 36, выпуск 9 с.102-110.
  • L.I. Fedina, D.V. Sheglov, A.K. Gutakovskii, S.S. Kosolobov, and A.V. Latyshev. Precision Measurements of Nanostructure Parameters. Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, 2010, Vol. 46, No. 4, pp.301-311.
  • А.А.Шкляев, А.В. Латышев, М. Ичикава, Фотолюминесценция в области длин волн 1.5?1.6мкм слоев кремния с высокой концентрацией кристаллических дефектов, ФТП, 2010, т. 44, вып.4, 452-457.
  • O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, Z.D. Kvon, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Introscopy of Quantum Nanoelectronic Devices, Nanotechnologies in Russia, 2010, Vol. 5, Nos. 9–10, pp. 676–695.
  • T.I. Baturina, A.Yu. Mironov, V.M. Vinokur, N.M. Chtchelkatchev, A. Glatz, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev, Resonant Andreev transmission in two-dimensional array of SNS junctions Physica C: Superconductivity, Volume 470, Supplement 1, 2010, P. S810-S81.
  • A.A. Shklyaev; A.V. Latyshev; M. Ichikawa, Defect-related luminescence from nanostructured Si layers in the 1.5-1.6 ?m wavelength region, Proceedings SPIE, 2010, Vol. 7521, 12 p.
  • L.I. Fedina, D.V. Sheglov, S.S. Kosolobov, A.K. Gutakovskii and A.V.Latyshev. Precise surface measurements at the nanoscale. Meas. Sci. Technol. (2010), 21, 054004, pp.1-6.
  • Д.А. Козлов, З.Д. Квон, А.Е. Плотников, А.В. Латышев, Двумерный электронный газ в решетке антиточек с периодом 80 нм, Письма в ЖЭТФ, 2010 т.91, вып.3, с.145-149.

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

  • V. Lyubin, A. Arsh, M. Klebanov, M. Manevich, J. Varshal, R. Dror, B. Sfez, A.V. Latyshev, D.A. Nasimov, N.P. Eisenberg, Non-linear dissolution of amorphous arsenic sulfide-selenide photoresist films, Applied Physics A: Materials Science & Processing, Volume 97, Number 1, 2009, Pages 109-114.
  • O.V. Naumova, V.P. Popov, L.N. Safronov, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu. D. Ivanov and A. I. Archakov. Ultra-Thin SOI Layer Nanostructuring and Nanowire Transistor Formation for FemtoMole Electronic Biosensors. ESC Transactions, 25(10), 83-87, 2009.
  • Astankova, Kseniya N.; Gorokhov, Eugenie B.; Volodin, Vladimir A., Latyshev, Alexander V., Vergnat, Michel. The Decomposition Mechanism Of Metastable Solid Geo Film, 2009 International School And Seminar On Modern Problems Of Nanoelectronics, Micro- And Nanosystem Technologies. IEEE Хplore, P. 69-73.
  • V.L. Alperovich, I.O. Akhundov, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, and A. S. Terekhov,Step-terraced morphology of GaAs(001) substrates prepared at quasiequilibrium conditions. Appl. Phys. Lett. 94, 101908 (2009).
  • D.A. Medvedeva, M.A. Maslov, R.N. Serikov, N.G. Morozova, G.A. Serebrenikova, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, V.V. Vlassov, M.A. Zenkova, Novel Cholesterol-Based Cationic Lipids for Gene Delivery, J MED CHEM, 2009, 52, №21, р. 6558–6568.
  • Д.А. Насимов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев. Атомные ступени на поверхности кремния как тест-обьект высоты в атомно-силовой микроскопии. // Вестник Новосибирского государственного университета. Серия физическая, 2009, т. 4, №1, стр. 100.
  • К.Н. Астанкова, Д.В. Щеглов, Е.Б. Горохов, В.А. Володин, А.Г. Черков, А.В. Латышев, M. Vergnat, Локальная наноразмерная декомпозиция GeO пленки под иглой атомно-силового микроскопа: наноструктурирование Ge, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, №10, с. 29-36 (2009).

2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008

  • N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.O. Polyarnyi, E.A. Chusovitin, V.V. Korobtsov, V.V. Balashev, Y. Khang, L. Dozsa, A. K. Gutakovsky, A.V. Latyshev, T.S. Shamirzaev, and K.S. Zhuravlev “Investigation of Multilayer Silicon Structures with Buried Iron Silicide Nanocrystallites: Growth, Structure, and Properties” J. of Nanoscience and Nanotechnology, (2008). v.8 (2) p.527-534.
  • Z.D. Kvon, D.A. Kozlov, E.B. Olshanetsky, A.E. Plotnikov, A.V. Latyshev, J.C. Portal, Ultra-high Aharonov–Bohm oscillations harmonics in a small ring interferometer, Solid State Communications, 147 (2008) 230–233.
  • Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, Кинетический контраст в атомно-силовой микроскопии, Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008, т. 133, №2, стр. 271.
  • С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Атомные ступени на поверхности кремния (111) при субмонослойной адсорбции золота. Известия РАН, (2008) т.72, 193-197.
  • А.В. Латышев, Диагностика и литография полупроводниковых структур для наноэлектроники, Российские нанотехнологии, 2008, т.3, №5-6, с.78-96.
  • D.V. Sheglov, E.B. Gorokhov, V.A. Volodin, K.N. Astankova and A.V. Latyshev, A novel tip-induced local electrical decomposition (TILED) method for thin GeO films nanostructuring, Nanotechnology,19 (2008) 245302 (4pp).
  • В.В. Атучин, Т.А. Гаврилова, В.А. Кочубей, Л.Д. Покровский, Кристаллическая стуктура и микроморфология пленок нитридов ванадия, полученных методом реактивного магнетронного распыления, Фундаментальные проблемы современного материаловедения 5 (3) (2008) 75-78.
  • И.В. Сабинина, А.К. Гутаковский, Ю.Г.Сидоров, В.С. Варавин., А.В. Латышев. Факторы, определяющие морфологию плёнок CdXHg1-XTe при молекулярно-лучевой эпитаксии. Поверхность, (2008), №2, с.48-56.
  • S.N. Svitasheva, V.G. Mansurov, K.S. Zhuravlev, A.Yu. Nikitin, D.V. Sheglov, and B. Pecz , Correlation between optical properties of MBE films of AlN and morphology of their surface, PHYSICA STATUS SOLIDI A, 2008, т. 205, №4, стр. 941-944.
  • A.G. Pogosov, M.V. Budantsev, A.A. Shevyrin, A.E. Plotnikov, A.K. Bakarov, A.I. Toropov, Blockade of tunneling in suspended single-electron transistor, JETP Letters Vol87, N3 ,2008.