Состав отделения:

 Ситников Рогило

  • Руководитель - академик РАН Латышев А.В., к.246, т.(383)3331080, Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
  • м.н.с. С.В. Ситников
  • м.н.с. Д.И. Рогило
  • инж. А.С. Петров

Основное направление активности - Исследование атомных процессов на поверхности полупроводниковых кристаллов при сублимации, фазовых переходах и эпитаксиальном росте уникальным in-situ методом Отражательной электронной микроскопии.


Отделение предоставляет следующие услуги:

  • Наноструктурирование нелитографическими методами посредством in-situ управления процессами самоорганизации структуры поверхности кристаллов в сверхвысоковакууумных условиях.

Для проведения экспериментов в отделении разработаны и внедрены следующие методики:

  • Методика структурирования ступенчатой поверхности кремния в процессе самоорганизации
  • Методика структурирования ступенчатой поверхности кремния в процессе самоорганизации при резистивном нагреве образца и осаждении атомов золота.
  • Методика формирования больших(шириной более 100 мкм) атомно гладких участков на ступенчатой поверхности кремния при резистивном нагреве образца.
  • Методика формирования больших(шириной более 100 мкм) атомно гладких участков на ступенчатой поверхности кремния при резистивном нагреве образца во внешнем потоке атомов кремния.

Услуги предоставляются отделением с использованием следующего оборудования:

Комплекс сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии: Уникальная научная установка - Многофункциональный аналитический субангстремный сверхвысоковакуумный комплекс "МАССК-ИФП" .
Сайт УНУ: isp.nsc.ru/massk/