Общее наименование Услуг ЦКП (далее УСЛУГ) - предоставление внешним пользователям услуг по использованию современных и дорогостоящих приборов, входящих в структуру ЦКП, для научно-исследовательских, технологических, методических, метрологических и учебных целей. бесконтактный контроль атомарных поверхностей методами атомно-силовой микроскопии.

Результатом предоставления Услуг являются новые знания, а именно, экспериментальные данные в научно-исследовательских работах, параметрические характеристики экспериментальные образцы в технологических работах, методические рекомендации и описание методов в методических работах, поверочные и калибровочные таблицы в метрологических работах и сертификаты обучения с программами обучения в учебных работах.

 

НОВОЕ! В связи с обновлением приборного парка расширен спектр предоставляемых типовых услуг по измерениям:

  • Проведение синтеза наноструктур на основе полупроводниковых нитридов в условиях сверхвысокого вакуума и in situ анализ их физико-химических параметров.
  • Обеспечение измерения линейных размеров нанообъектов методом компарирования оптическим и зондовым методам.
  • Исследование морфологии поверхности твердотельных и биологических нанообъектов с определением элементного состава методом сканирующей электронной микроскопии.
  • Прецизионная полировка поверхностей различных образцов широким ионным пучком в высо-ковакуумных условиях.

 

Перечень комплексных (не типовых) услуг ЦКП

  1. Cоздание структур пониженной размерности для наноэлектроники и наномеханики на основе комплекса литографических методов включающих электронную, ионно-лучевую и зондовую литографию.
  2. Оптическая литография для непосредственного формирования топологических структур на полупроводниковых пластинах и изготовления промежуточных шаблонов при производстве БИС, СБИС и других изделий электронной техники.
  3. Исследования атомной структуры веществ методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии с корректором сферических аберраций, включая исследования на просвет планарных структур и поперечных сечений.
  4. Проведение измерений линейных размеров элементов структур микро- и нанорельефа поверхности твердотельных материалов и биологических объектов в нанометровом диапазоне.
  5. Проведение электрофизических измерений низкоразмерных полупроводниковых микросистем на основе 4-контактной измерительной станции.
  6. Препарирование образцов для проведения исследований методами высокоразрешающей электронной микроскопии основанных на утонении кристалла методами механической, химико-механической, химической и ионной обработки.
  7. Анализ химического состава приповерхностного слоя методами EDX на базе сканирующей электронной микроскопии.
  8. Исследование морфологии и структуры поверхности твердотельных структур и оперативный контроль атомарных поверхностей методами сканирующей туннельной, атомно-силовой и электронной микроскопии.
  9. Исследования атомной структуры веществ методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и проведение компьютерного моделирования атомной структуры нанообъектов, кластерных и протяженных конфигураций дефектов структуры, границ раздела для построения теоретических высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений и последующего сравнения с экспериментальными изображениями с целью получения достоверной информации об атомной структуре анализируемых объектов.
  10. Исследования атомной структуры веществ методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и количественный анализ механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных изображений высокоразрешающей электронной микроскопии.
  11. Наноструктурирование нелитографическими методами посредством in-situ управления процессами самоорганизации структуры поверхности кристаллов в сверхвысоковакууумных условиях.
  12. Проведение компьютерного моделирования электронной структуры и свойств низкоразмерных систем.

 

Перечень типовых услуг ЦКП

Услуги по измерениям

  1. Количественный морфологический анализ и измерения линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур с применением сканирующего электронного микроскопа.
  2. Количественный размерно-морфологический анализ различных типов материалов и измерения характеристик электронной дифракционной картины в веществе с применением просвечивающего электронного микроскопа, в том числе с учетом коррекции сферических аберраций.
  3. Количественный морфологический анализ и измерения линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур с применением сканирующего зондового микроскопа.
  4. Измерение линейных размеров элементов структур микро и нанорельефа поверхности конденсированных сред с помощью мер нанометрового диапазона.
  5. Измерение распределения электрического потенциала по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
  6. Измерение распределения электростатического заряда по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
  7. Измерение распределения производной емкости (в относительных единицах) по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
  8. Измерение распределения намагниченности (в относительных единицах) по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
  9. Измерение микротвердости (в относительных единицах) поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
  10. Поверка и калибровка атомно-силовых микроскопов посредством субнанометровой меры СТЕПП-ИФП-1.
  11. Измерение линейных размеров нанорельефа на атомно-чистой поверхности полупроводников методом СТМ в сверхвысоком вакууме.
  12. Высокоточнок измерение электрофизических характеристик функциональных микросистем 2 и 4 зондовым методом.
  13. Получение фазового кинетического контраста от поверхности методом атомно-силовой микроскопии.
  14. Измерение состава поверхности твердотельных структур методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.
  15. Измерение распределения трения (в относительных единицах) по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
  16. Получение изображения рельефа оксида на поверхности кремния методом СТМ в сверхвысоком вакууме.

Аналитические услуги

  1. Компьютерный количественный анализ механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных картин высокоразрешающей электронной микроскопии.
  2. Компьютерное моделирование атомной структуры нонообъектов, кластерных и протяженных конфигураций дефектов структуры, границ раздела для построения теоретических высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений и последующего сравнения с экспериментальными изображениями с целью получения достоверной информации об атомной структуре анализируемых объектов.

Услуги по препарированию и пробоподготовке

  1. Препарирования планарных кристаллических образцов для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, включающая химико-механическую полировку, химическое травление и термическое окисление.
  2. Изготовление образцов поперечного сечения, основанное на ионном травлении тонких механических срезов склеенных структур, для изучения пространственного распределения, морфологии и атомной структуры нанообъектов, протяженных дефектов, границ раздела методами просвечивающей электронной микроскопии.
  3. Оригинальное препарирование сложных химических соединений на основе А2В6 для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, позволяющая изготовление планарных и поперечных сечений на основе химико-механического утонения.
  4. Нанесение фоторезиста на различные полупроводниковые пластины.
  5. Последовательное совмещение слоев фотошаблонов после проявления резиста, травления пластины и нанесения металов.
  6. Взрывное нанесение металла через маску в резисте.

Услуги по разработке и созданию функциональных наноструктур

  1. Проведение литографии, включая изготовление фотошаблонов, субмикронного диапазона с использованием электронно-лучевой литографии.
  2. Проведение оптической литографии.
  3. Наноструктурирование, основанная на электронной литографии сфокусированным электронным пучком на базе сканирующего электронного микроскопа.
  4. Наноструктурирование, основанная на прямом воздейсвтии сфокусированным ионным пучком на базе сканирующего электронного и ионного микроскопа.
  5. Модификация поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа фирмы NT MDT.
  6. Ссоздание и изучение полупроводниковых наноструктур на поверхности кремния методами эпитаксии в сверхвысоковакуумной камере СТМ.
  7. Управление морфологией поверхности кремния в условиях сублимации, эпитаксии и газовых реакций in-situ.
  8. Создание атомно-гладких поверхностей кремния большой площади.