Общее наименование Услуг ЦКП (далее УСЛУГ) - предоставление внешним пользователям услуг по использованию современных и дорогостоящих приборов, входящих в структуру ЦКП, для научно-исследовательских, технологических, методических, метрологических и учебных целей. бесконтактный контроль атомарных поверхностей методами атомно-силовой микроскопии.

Результатом предоставления Услуг являются новые знания, а именно, экспериментальные данные в научно-исследовательских работах, параметрические характеристики экспериментальные образцы в технологических работах, методические рекомендации и описание методов в методических работах, поверочные и калибровочные таблицы в метрологических работах и сертификаты обучения с программами обучения в учебных работах.

 * Указан перечень типично используемого оборудования для выполнения услуги. В зависимости от конкретной задачи и типа образцов перечень услуг может быть дополнен или изменён в процессе обсуждения и составления технического задания к договору на оказание услуги.

№ услуги Перечень услуг ЦКП "Наноструктуры" № оборудования из перечня, задействованного в оказании услуги * 
 Услуги по измерениям 
1 Количественный морфологический анализ и измерения линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур с применением сканирующего электронного микроскопа. 5
2 Количественный размерно-морфологический анализ различных типов материалов и измерения характеристик электронной дифракционной картины в веществе с применением просвечивающего электронного микроскопа, в том числе с использованием коррекции сферических аберраций.    1,2,6
3

Количественный морфологический анализ и измерения линейных размеров микрорельефа поверхности твердотельных структур с применением сканирующего зондового микроскопа.   3,17
4 Измерение линейных размеров элементов структур микро- и нанорельефа поверхности конденсированных сред с помощью мер нанометрового диапазона.   3,17
5   Измерение распределения электрического потенциала по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа.     3,17
6 Измерение распределения электростатического заряда по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа.     3,17
7 Измерение распределения производной ёмкости (в относительных единицах) по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа. 3,17
8 Измерение распределения намагниченности (в относительных единицах) по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа. 3,17
9 Измерение микротвёрдости (в относительных единицах) поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа. 3,17
10 Измерение линейных размеров нанорельефа на атомно-чистой поверхности полупроводников методом СТМ в сверхвысоком вакууме. 9
11 Получение фазового кинетического контраста от поверхности методом атомно-силовой микроскопии. 3,17
12 Измерение состава поверхности твердотельных структур методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. 5
13 Измерение распределения трения (в относительных единицах) по поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа. 3
14 Получение изображения рельефа оксида на поверхности кремния методом СТМ в сверхвысоком вакууме. 9
15 Анализ поверхности образцов с помощью оптического микроскопа, микроинтерферометра и конфокального микроскопа.    13,14,17,19
16 Обеспечение измерения линейных размеров нанообъектов методом компарирования оптическим и зондовым методам.  17
17 Исследование морфологии поверхности твердотельных и биологических нанообъектов с определением элементного состава методом сканирующей электронной микроскопии.    7,15
 Аналитические услуги  
1  Компьютерный количественный анализ механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных картин высокоразрешающей электронной микроскопии. 1,2
2 Компьютерное моделирование атомной структуры нанообъектов, кластерных и протяжённых конфигураций дефектов структуры, границ раздела для построения теоретических высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений и последующего сравнения с экспериментальными изображениями с целью получения достоверной информации об атомной структуре анализируемых объектов. 1,2
Услуги по препарированию и пробоподготовке
1 Изготовление образцов поперечного сечения, основанное на ионном травлении тонких механических срезов склеенных структур, для изучения пространственного распределения, морфологии и атомной структуры нанообъектов, протяжённых дефектов, границ раздела методами просвечивающей электронной микроскопии.  7
2 Проведение литографии, включая изготовление фотошаблонов, субмикронного диапазона с использованием электронно-лучевой литографии.     4,12
3 Проведение оптической литографии.     10
4 Наноструктурирование, основанное на электронной литографии остросфокусированным электронным пучком на базе сканирующего электронного микроскопа.     4,12
5 Наноструктурирование, основанное на прямом воздействии сфокусированным ионным пучком на базе сканирующего электронного и ионного микроскопа.    7
6 Модификация поверхности конденсированных сред с помощью сканирующего зондового микроскопа.     3,17
7 Прецизионная полировка поверхностей различных образцов широким ионным пучком в высоковакуумных условиях.    18
  Услуги по разработке и созданию функциональных наноструктур  
1 Создание и изучение полупроводниковых наноструктур на поверхности кремния методами эпитаксии в сверхвысоковакуумной камере СТМ. 9
2 Управление морфологией поверхности кремния в условиях сублимации, эпитаксии и газовых реакций in-situ. 8
3 Создание атомно-гладких поверхностей кремния большой площади. 8
4 Напыление тонких проводящих и диэлектрических слоёв.   11
5 Проведение синтеза наноструктур на основе полупроводниковых нитридов в условиях сверхвысокого вакуума и in situ анализ их физико-химических параметров.    16
   Нетиповые услуги ЦКП «Наноструктуры»:  
1 Создание структур пониженной размерности для наноэлектроники и наномеханики на основе комплекса литографических методов включающих электронную, ионно-лучевую и зондовую литографию.    3,4,7,12,18
2 Оптическая литография для непосредственного формирования топологических структур на полупроводниковых пластинах и изготовления промежуточных шаблонов при производстве БИС, СБИС и других изделий электронной техники.  10
3 Исследования атомной структуры веществ методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии с корректором сферических аберраций, включая исследования на просвет планарных структур и поперечных сечений.  1
4 Проведение измерений линейных размеров элементов структур микро- и нанорельефа поверхности твердотельных материалов и биологических объектов в нанометровом диапазоне.    3,17
5 Препарирование образцов для проведения исследований методами высокоразрешающей электронной микроскопии основанных на утонении кристалла методами механической, химико-механической, химической и ионной обработки.    1,2,6
6 Анализ химического состава приповерхностного слоя методами EDX на базе сканирующей электронной микроскопии.    1,5,15
7 Исследование морфологии и структуры поверхности твердотельных структур и оперативный контроль атомарных поверхностей методами сканирующей туннельной, атомно-силовой и электронной микроскопии.    3,5,7,9,15
8 Исследования атомной структуры веществ методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и проведение компьютерного моделирования атомной структуры нанообъектов, кластерных и протяжённых конфигураций дефектов структуры, границ раздела для построения теоретических высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений и последующего сравнения с экспериментальными изображениями с целью получения достоверной информации об атомной структуре анализируемых объектов.  1,2
9 Исследования атомной структуры веществ методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и количественный анализ механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных изображений высокоразрешающей электронной микроскопии.    1,2
10 Наноструктурирование нелитографическими методами посредством in-situ управления процессами самоорганизации структуры поверхности кристаллов в сверхвысоковакуумных условиях.    8